大面積ナノパターン形成方法および装置

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：正林真之 , 林一好
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2010543093
Publication number (International publication number)：2011526069
Application date： Nov. 18, 2008
Publication date： Sep. 29, 2011
Summary：

本発明の実施形態は、放射線感受性材料をイメージングするために回転式マスクが使用される、大面積の基体のナノパターン形成に有用な方法および装置に関する。典型的には、この回転式マスクは円筒を含む。このナノパターン形成技術は、基体をパターン形成するために使用されるマスクがその基体と動的接触にある、近接場フォトリソグラフィを利用する。この近接場フォトリソグラフィはエラストマーの位相シフトマスクを利用してもよいし、または回転する円筒表面が金属ナノホールまたはナノ粒子を含む表面プラズモン技術を用いてもよい。【選択図】図6A

Claim (excerpt)：

近接場ナノリソグラフィーの方法であって、 a)表面上に放射線感受性の層を有する基体を準備する工程と、 b)回転式マスクを準備する工程であって、前記回転式マスクはその外部表面にナノパターンを有する、工程と、 c)前記ナノパターンを、前記基体表面上の前記放射線感受性の層と接触させる工程と、 d)前記回転式マスクを前記放射線感受性の層にわたって回転させつつ、放射線を前記ナノパターンを通して分散させ、これにより、1μm未満〜約1nmの範囲の加工寸法を有する像が前記放射線感受性の層の中に作り出される工程とを含む、方法。

IPC (3)：

H01L 21/027 , G03F 7/20 , B29C 59/02

FI (3)：

H01L21/30 502D , G03F7/20 501 , B29C59/02 Z

F-Term (20)：

2H097AB02 , 2H097BA10 , 2H097BB10 , 2H097CA12 , 2H097DB12 , 2H097GA31 , 2H097LA20 , 4F209AD08 , 4F209AF01 , 4F209AG05 , 4F209AH33 , 4F209AH73 , 4F209PA02 , 4F209PB01 , 4F209PN06 , 4F209PN09 , 4F209PQ11 , 5F046BA01 , 5F046CA02 , 5F046CB17

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (10)

フォトマスク、露光装置及び露光方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-255196 Applicant：株式会社リコー
リソグラフィーマスクおよび表面プラズモンを用いた光リソグラフィー法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-334195 Applicant：独立行政法人理化学研究所
ナノインプリント方法及び装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2005-105806 Applicant：独立行政法人科学技術振興機構

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Article cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

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