特許
J-GLOBAL ID:200903001334160337
半導体リソグラフィー用共重合体の製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (2件):
小野 信夫
, 高橋 徳明
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-371089
公開番号(公開出願番号):特開2005-132974
出願日: 2003年10月30日
公開日(公表日): 2005年05月26日
要約:
【課題】ロット間差の小さい品質の安定したリソグラフィー用共重合体を、効率的かつ品質の再現性を良く製造する方法を提供する。【解決手段】重合溶媒の存在下に重合開始剤を使用して、エチレン性二重結合を有する重合性化合物をラジカル重合させて半導体リソグラフィー用共重合体を製造する方法であって、ろ過用フィルター8により、液供給手段2と撹拌手段7を備えた第1の部分1aと液抜き取り手段5を備えた第2の部分1bに分けられた密閉可能な一の容器1内で、次の再沈ろ過工程によって精製することを特徴とする半導体リソグラフィー用共重合体の製造方法。(1)重合反応により得られた重合反応液を、前記液供給手段2から、貧溶媒が入った容器の第1の部分に供給し、貧溶媒と接触させて固形物を再沈させる再沈工程(2)固形物が析出した液をろ過用フィルター8でろ過し、前記液抜き取り手段5から溶媒を抜き取り、析出した固形物を分離するろ過工程。【選択図】図1
請求項(抜粋):
重合溶媒の存在下に重合開始剤を使用して、エチレン性二重結合を有する重合性化合物をラジカル重合させて半導体リソグラフィー用共重合体を製造する方法であって、ろ過用フィルターにより、液供給手段と撹拌手段を備えた第1の部分と液抜き取り手段を備えた第2の部分に分けられた密閉可能な一の容器内で、次の再沈ろ過工程によって精製することを特徴とする半導体リソグラフィー用共重合体の製造方法。
(1)重合反応により得られた共重合体を含む重合反応液を、前記液供給手段から、貧
溶媒が入った容器の第1の部分に供給し、貧溶媒と接触させて固形物を再沈させる
再沈工程
(2)前記液抜き取り手段を開け、ここから溶媒を抜き取ることにより、工程(1)で
再沈した固形物をろ過用フィルターでろ過し、固形物を分離するろ過工程
IPC (1件):
FI (1件):
Fターム (5件):
4J100GC07
, 4J100GC16
, 4J100GC35
, 4J100GC37
, 4J100JA37
引用特許:
出願人引用 (19件)
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特開昭59-045439号公報
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ポジ型フォトレジスト組成物
公報種別:公開公報
出願番号:特願平9-043974
出願人:富士写真フイルム株式会社
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反射防止膜形成組成物
公報種別:公開公報
出願番号:特願平11-123835
出願人:ジェイエスアール株式会社
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審査官引用 (3件)
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特開昭62-126502
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固体樹脂の製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2001-293408
出願人:住友化学工業株式会社
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固体樹脂の製造法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2002-104981
出願人:住友化学工業株式会社
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