特許
J-GLOBAL ID：200903002959921308
炭化珪素半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
和泉 良彦
, 小林 茂
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-035328
公開番号（公開出願番号）：特開2004-247490
出願日： 2003年02月13日
公開日（公表日）： 2004年09月02日
要約：
【課題】電流増幅率hFEに優れた高耐圧炭化珪素半導体装置を提供すること。【解決手段】第1導電型のコレクタ領域であるN-型SiCエピタキシャル領域20と、N-型SiCエピタキシャル領域20上に形成される第2導電型のベース領域であるP-型多結晶シリコンベース領域30と、P-型多結晶シリコンベース領域30上に形成される第1導電型のエミッタ領域であるN+型多結晶シリコンエミッタ領域40と、第1導電型のコレクタ領域であるN-型SiCエピタキシャル領域20に接続するコレクタ電極90と、P-型多結晶シリコンベース領域30に接続するベース電極80と、N+型多結晶シリコンエミッタ領域40に接続するエミッタ電極70とを有する炭化珪素半導体装置を構成する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
第1導電型のコレクタ領域と、該コレクタ領域上に形成される第2導電型のベース領域と、該ベース領域上に形成される第1導電型のエミッタ領域と、前記コレクタ領域に接続するコレクタ電極と、前記ベース領域に接続するベース電極と、前記エミッタ領域に接続するエミッタ電極とを有する炭化珪素半導体装置において、
前記コレクタ領域が炭化珪素半導体から成り、
前記ベース領域が、上記炭化珪素半導体とヘテロ接合を形成する半導体材料から成ることを特徴とする炭化珪素半導体装置。
IPC (3件)：
H01L21/331
, H01L29/737
, H01L29/78
H01L29/72 H
, H01L29/78 652G
, H01L29/78 652N
, H01L29/78 652T
, H01L29/78 653A
5F003AP04
, 5F003AP06
, 5F003BA93
, 5F003BB07
, 5F003BB08
, 5F003BC01
, 5F003BC02
, 5F003BE07
, 5F003BG06
, 5F003BJ15
, 5F003BM01
, 5F003BP05
, 5F003BP44
