特許
J-GLOBAL ID：200903007385159935
窒化物エピタキシのための多層インジウム含有窒化物緩衝層
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
古谷 馨 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-149259
公開番号（公開出願番号）：特開2000-036620
出願日： 1999年05月28日
公開日（公表日）： 2000年02月02日
要約：
【要約】【課題】 ドーピング及び組成変動に起因する亀裂の問題を克服した半導体デバイスを提供する。【解決手段】 基板(2)、緩衝構造又は核生成構造、及び回路要素を含む活性構造(6)を備えた半導体テ ゙ハ ゙イス。核生成層は比較的低温で作製され、インシ ゙ウムを含有するIII-V族窒化化合物からなる少なくとも1つの層を備える。多層構造で、該層の少なくとも1つの層(好適には基板(2)上に直接堆積されたもの(18))がインシ ゙ウム含有III-V族窒化化合物から作製され緩衝層として働く。後続のAlInGaNエヒ ゚タキシでインシ ゙ウム含有層が弛緩する。応力及び亀裂が低減される結果、組成及びト ゙ーヒ ゚ンク ゙調整上のフレキシヒ ゙リティが向上する。テ ゙ハ ゙イスの電気的及び光学的な特性はその活性構造における応力及び歪み状態により決まるため、核生成層の組成及び層圧を調節することによりそれらの特性を目的に合わせて設計できる。有利に高い品質を有するインシ ゙ウム含有窒化物を比較的低温で成長させられる。
請求項（抜粋）：
基板(2)と、該基板(2)上に直接配設された緩衝構造(4)であって、前記基板(2)上に直接配設された第1の緩衝層(16)を備えており、該第1の緩衝層(16)が、第1のインジウム含有窒化化合物から形成されている、緩衝構造(4)と、該緩衝構造(4)上に配設された活性構造(6)とを備えている、半導体デバイス。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 33/00 C
, H01L 21/20
