特許
J-GLOBAL ID：200903021424025200

化学機械研磨パッド及び化学機械研磨方法

発明者：
田野 裕之

田野 裕之 について

, 
西村 秀樹

西村 秀樹 について

, 
志保 浩司

志保 浩司 について


出願人/特許権者：
JSR株式会社

JSR株式会社 について


代理人 (1件)： 大島 正孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-257767
公開番号（公開出願番号）：特開2006-114885
出願日： 2005年09月06日
公開日（公表日）： 2006年04月27日
要約：
【課題】 化学機械研磨工程における被研磨面のスクラッチ発生を抑制でき、高品位の被研磨面を与えることができる化学機械研磨パッド、及びその化学機械研磨パッドを用いて行う高品位の被研磨面を与える化学機械研磨方法を提供すること。【解決手段】 研磨パッドは、下記条件初期負荷:100g最大歪み:0.01%周波数:0.2Hzにおいて、研磨基体の30°C及び60°Cにおける貯蔵弾性率を測定した場合、30°Cにおける貯蔵弾性率E’(30°C)が120MPa以下であり、かつ30°Cにおける貯蔵弾性率E’(30°C)と60°Cにおける貯蔵弾性率E’(60°C)の比(E’(30°C)/E’(60°C))が2.5以上であることを特徴とする。 化学機械研磨方法は、上記の化学機械研磨パッドを使用するものである。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
下記条件 初期負荷:100g 最大歪み:0.01% 周波数:0.2Hz において、研磨基体の30°C及び60°Cにおける貯蔵弾性率を測定した場合、30°Cにおける貯蔵弾性率E’(30°C)が120MPa以下であり、かつ30°Cにおける貯蔵弾性率E’(30°C)と60°Cにおける貯蔵弾性率E’(60°C)の比(E’(30°C)/E’(60°C))が2.5以上であることを特徴とする、化学機械研磨パッド。
IPC (2件)：
H01L 21/304 ,  B24B 37/00
FI (3件)：
H01L21/304 622F ,  H01L21/304 622X ,  B24B37/00 C
Fターム (5件)：
3C058AA07 ,  3C058AA09 ,  3C058CB02 ,  3C058DA12 ,  3C058DA17
引用特許：
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (10件)
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