特許
J-GLOBAL ID：200903043758340640

露光装置、および当該露光装置を用いた半導体装置の作製方法

発明者：
大沼 英人

大沼 英人 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-257452
公開番号（公開出願番号）：特開2008-112985
出願日： 2007年10月01日
公開日（公表日）： 2008年05月15日
要約：
【課題】レーザ光源よりレーザ光を被照射面に照射する際にマスクを介した被照射面において露光のムラを低減し、基板の露光処理にかかるスループットを向上させるための露光装置、及び当該露光装置を用いた半導体装置の作製方法を提供することを課題とする。【解決手段】フォトリソグラフィ工程における露光用光源として発振周波数が1MHz以上のパルス発振型のレーザ光を出力する固体レーザを用いて露光を行う。その結果、レーザ光が照射される被照射面の露光のばらつきを抑えることができる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
露光工程におけるレーザ光源としてパルス発振型のレーザ光を用い、 前記レーザ光を、マスクを介して被照射面に照射するための露光装置において、 前記レーザ光源には、固体レーザが用いられており、 前記レーザ光の発振周波数は、1MHz以上であることを特徴とする露光装置。
IPC (2件)：
H01L 21/027 ,  G03F 7/20
FI (3件)：
H01L21/30 527 ,  H01L21/30 515B ,  G03F7/20 505
Fターム (13件)：
2H097CA06 ,  2H097CA17 ,  2H097GB01 ,  2H097GB02 ,  2H097LA10 ,  2H097LA11 ,  2H097LA12 ,  5F046BA03 ,  5F046BA05 ,  5F046CA03 ,  5F046CB23 ,  5F046DA01 ,  5F046DB01
引用特許：
出願人引用 (2件)
  • 露光用ガスレーザ装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-376154   出願人：ギガフォトン株式会社, ウシオ電機株式会社
  • フォトリソグラフィ装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-008016   出願人：エスヴィージーリトグラフィーシステムズインコーポレイテッド
審査官引用 (16件)
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