荷電粒子線露光装置の結像性能の評価方法及び荷電粒子線露光装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：渡部温 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-043195
公開番号（公開出願番号）：特開2002-246298
出願日： 2001年02月20日
公開日（公表日）： 2002年08月30日
要約：

【要約】【課題】サブフィールド内の多数の計測位置で高精度なビームボケの分布の測定を行うことができる等の利点を有する荷電粒子線露光装置の結像性能の評価方法と、それを適用し得る荷電粒子線露光装置を提供する。【解決手段】ナイフエッジ状基準マーク1の下にはビーム制限開口5が配置されている。ビーム制限開口5の開口径は50μm以下(好ましくは10μm程度)である。ビーム制限開口5とナイフエッジ状基準マーク1との間の距離hは、ナイフエッジ状基準マーク1から開口端縁5aを見込む角が、下段の投影レンズ15における矩形ビームEB1の収束角よりも僅かに大きくなる寸法とする。ビーム制限開口5によって、計測用矩形ビームEB1の前方散乱電子e2とダミービームEB2の前方散乱電子e2 ́のほとんどは遮られる。したがって、ビーム制限開口5の下の電子検出器6では、ほとんど無散乱電子e1のみが検出される。

請求項（抜粋）：

感応基板上に転写すべき原版パターンを有するレチクルを荷電粒子線照明し、該レチクルを通過した荷電粒子線を前記感応基板上に投影結像させて転写パターンを形成する荷電粒子線露光装置における結像性能の評価方法であって、前記原版パターンの位置(物面位置)に、計測用パターンを形成したレチクルを配置し、前記転写パターンの位置(像面位置)に、計測用のナイフエッジ状基準マークを配置し、前記計測用パターンを通過した計測用荷電粒子ビームで前記ナイフエッジ状基準マークを走査し、前記ナイフエッジ状基準マークを通過した荷電粒子線をセンサで検出して処理することにより前記ビームのボケを測定し、前記ナイフエッジ状基準マークの非開口部(ナイフエッジ板)の前記センサ側直近にビーム制限開口を配して、該ナイフエッジ板を透過する荷電粒子線の少なくとも相当の部分を遮ることを特徴とする荷電粒子線露光装置の結像性能の評価方法。

IPC (7件)：

H01L 21/027 , G03F 1/08 , G03F 7/20 504 , G03F 7/22 , G03F 9/02 , H01J 37/09 , H01J 37/305

FI (7件)：

G03F 1/08 P , G03F 7/20 504 , G03F 7/22 H , G03F 9/02 H , H01J 37/09 A , H01J 37/305 B , H01L 21/30 541 N

Fターム (22件)：

2H095BA02 , 2H095BA08 , 2H095BE05 , 2H095BE08 , 2H097AA03 , 2H097AB09 , 2H097BA01 , 2H097BA10 , 2H097BB10 , 2H097CA16 , 2H097EA01 , 2H097GB01 , 2H097KA03 , 2H097KA12 , 2H097KA20 , 2H097LA10 , 5C033BB02 , 5C034BB08 , 5F056AA22 , 5F056BA06 , 5F056BB01 , 5F056BB09

引用特許：

審査官引用 (15件)

荷電粒子線露光装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-095776 出願人：株式会社ニコン
ビームの測定方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-079078 出願人：日本電子株式会社
半導体構造を製造する方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-333991 出願人：モトローラ・インコーポレイテッド

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