高分子化合物、反射防止膜材料及びパターン形成方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：小島隆司 , 重松沙織 , 小林克成 , 石川武史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-369931
公開番号（公開出願番号）：特開2005-048152
出願日： 2003年10月30日
公開日（公表日）： 2005年02月24日
要約：

【解決手段】下記一般式(1)で表される繰り返し単位を有することを特徴とする高分子化合物。【化1】(式中、R1は単結合、又は炭素数1〜20の直鎖状、分岐状又は環状の-COO-、-CONH-又は-O-が介在してもよいアルキレン基、-COO-、-CONH-、-O-、又はシロキサン結合である。)【効果】本発明によれば、レジストに対してエッチング選択比の高い、即ち、エッチングスピードが速い反射防止膜が得られ、この反射防止膜は十分な反射防止効果を発揮できるだけの吸光係数を有し、また、パターニング後のレジスト形状も良好である。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

下記一般式(1)で表される繰り返し単位を有することを特徴とする高分子化合物。

IPC (4件)：

C08G77/48 , G03F7/075 , G03F7/11 , H01L21/027

FI (4件)：

C08G77/48 , G03F7/075 521 , G03F7/11 503 , H01L21/30 574

Fターム (59件)：

2H025AA00 , 2H025AA02 , 2H025AA03 , 2H025AB16 , 2H025AD01 , 2H025AD03 , 2H025DA34 , 2H025FA41 , 4J246AA03 , 4J246AA11 , 4J246AA13 , 4J246BA11X , 4J246BA110 , 4J246BA12X , 4J246BA120 , 4J246BB02X , 4J246BB020 , 4J246BB022 , 4J246BB130 , 4J246BB14X , 4J246BB140 , 4J246BB141 , 4J246BB260 , 4J246BB270 , 4J246BB330 , 4J246BB45X , 4J246BB450 , 4J246BB451 , 4J246CA010 , 4J246CA24X , 4J246CA240 , 4J246CA340 , 4J246CA350 , 4J246CA39X , 4J246CA390 , 4J246CA45X , 4J246CA450 , 4J246CA54X , 4J246CA540 , 4J246CA550 , 4J246CA56X , 4J246CA560 , 4J246CA570 , 4J246CA640 , 4J246CA660 , 4J246CA68X , 4J246CA680 , 4J246CA88X , 4J246CA880 , 4J246FA131 , 4J246FA151 , 4J246FA421 , 4J246FB011 , 4J246GA01 , 4J246GC23 , 4J246GC26 , 4J246GD08 , 4J246HA15 , 5F046PA07

引用特許：

出願人引用 (20件)

リソグラフィー用下地材
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-244050 出願人：東京応化工業株式会社
特開昭57-131250号公報
特開昭56-129261号公報

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審査官引用 (9件)

ポジ型フォトレジスト組成物
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-246734 出願人：富士写真フイルム株式会社
反射防止膜材料およびパターン形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-300650 出願人：信越化学工業株式会社
シリカ基材非反射性平面化層
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-261270 出願人：エヌ・シー・アール・コーポレイシヨン

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