高容量を有するキャパシタ製造方法およびこれを利用した半導体装置の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：志賀正武 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-163277
公開番号（公開出願番号）：特開2001-085636
出願日： 2000年05月31日
公開日（公表日）： 2001年03月30日
要約：

【要約】【課題】高温の工程を伴わずに広い表面積を有するストレジ電極を形成して高い蓄電容量が得られるキャパシタの製造方法を提供する。【解決手段】基板の上部に、隣接した二の酸化膜どうしの間に不純物の濃度差を有し、隣接する酸化膜が異なる蝕刻速度を有する多層の犠牲構造物を形成する段階と、多層の犠牲構造物に少なくとも一つのホールを形成して犠牲構造物がホールを限定する側壁を有するようにする段階と、蝕刻液で犠牲構造物の側壁を蝕刻して酸化膜を異なった蝕刻速度で蝕刻し、犠牲構造物の側壁に鋸の歯形の凹凸部を形成する段階と、該凹凸部の上に導電物質を沈積して鋸の歯形の凹凸部が導電物質に再現されるように第1導電膜を形成する段階と、犠牲構造物を除去する段階と、第1導電膜上に誘電膜と第2導電膜とを順次に形成する段階とを有することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

600°C以下の温度で基板の上部に、対を成す夫々隣接した二つの酸化膜どうしの間に不純物の濃度差を有し、隣接した酸化膜の一方は前記酸化膜に含有された不純物の差によって蝕刻液に露出される時、前記隣接した酸化膜の他方とはお互いに異なった蝕刻速度を表すように複数個の酸化膜を形成して前記酸化膜で構成された多層の犠牲構造物を形成する段階と、前記多層の犠牲構造物に少なくとも一つのホールを形成して前記犠牲構造物が前記ホールを限定する側壁を有するようにする段階と、前記蝕刻液で前記犠牲構造物の側壁を蝕刻して前記酸化膜をお互いに異なった蝕刻速度で蝕刻して、前記犠牲構造物の側壁に反復的である鋸の歯形の凹凸部を形成する段階と、前記鋸の歯形の凹凸部の上に導電物質を沈積して前記鋸の歯形の凹凸部が前記導電物質に再現されるようにして第1導電膜を形成する段階と、前記第1導電膜が形成された後、前記犠牲構造物を除去する段階と、そして前記第1導電膜上に誘電膜と第2導電膜とを順次に形成する段階とを有することを特徴とするキャパシタの製造方法。

IPC (2件)：

H01L 27/108 , H01L 21/8242

Fターム (13件)：

5F083AD29 , 5F083AD63 , 5F083JA19 , 5F083JA32 , 5F083MA06 , 5F083MA17 , 5F083NA02 , 5F083PR05 , 5F083PR12 , 5F083PR21 , 5F083PR36 , 5F083PR39 , 5F083PR40

引用特許：

審査官引用 (19件)

特開平3-218663
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-131441 出願人：ソニー株式会社
スタックキャパシタの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-284939 出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション, シーメンス・アクチエンゲゼルシャフト, ラムリサーチコーポレーション

全件表示

前のページに戻る