特許
J-GLOBAL ID：200903082322189445
半導体レーザの製造方法、半導体レーザ、光ピックアップ、光ディスク装置、半導体装置の製造方法、半導体装置および窒化物系III-V族化合物半導体層の成長方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
森 幸一
, 逢坂 宏
, 松村 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-282714
公開番号（公開出願番号）：特開2008-244423
出願日： 2007年10月31日
公開日（公表日）： 2008年10月09日
要約：
【課題】端面窓構造を極めて簡単に形成することができ、光導波損失やレーザ動作時の光吸収・局所的な発熱を抑えることができる、窒化物系III-V族化合物半導体を用いた半導体レーザおよびその製造方法を提供する。【解決手段】n型GaN基板11上の少なくとも端面窓構造の形成位置の近傍にSiO2 膜などからなる絶縁膜マスク16を形成する。絶縁膜マスク16の幅、間隔、形状、位置などは設計により決める。この絶縁膜マスク16で覆われていない部分のn型GaN基板11上に、InおよびGaを含む窒化物系III-V族化合物半導体からなる活性層19を含むGaN系半導体層25を成長させることにより、端面窓構造を有する半導体レーザを製造する。絶縁膜マスク16の上の部分に形成された凹部は絶縁物で埋めるのが好ましい。【選択図】図10
請求項（抜粋）：
基板上に、少なくともInおよびGaを含む窒化物系III-V族化合物半導体からなる活性層を含む窒化物系III-V族化合物半導体層を成長させるようにした、端面窓構造を有する半導体レーザの製造方法であって、
上記基板上の、少なくとも上記端面窓構造の形成位置の近傍に絶縁膜からなるマスクを形成する工程と、
上記マスクで覆われていない部分の上記基板上に上記活性層を含む上記窒化物系III-V族化合物半導体層を成長させる工程とを有する
ことを特徴とする半導体レーザの製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (17件)：
5F173AA23
, 5F173AB63
, 5F173AB64
, 5F173AF15
, 5F173AF18
, 5F173AF32
, 5F173AF96
, 5F173AH22
, 5F173AK04
, 5F173AK08
, 5F173AL13
, 5F173AP05
, 5F173AP13
, 5F173AP32
, 5F173AP33
, 5F173AP56
, 5F173AR68
出願人引用 (11件)
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審査官引用 (5件)
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