特許
J-GLOBAL ID：200903087503362671

TFT基板及びスパッタリングターゲット及び液晶表示装置及び画素電極及び透明電極及びTFT基板の製造方法

発明者：
松原 雅人

松原 雅人 について

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井上 一吉

井上 一吉 について

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笘井 重和

笘井 重和 について


出願人/特許権者：
出光興産株式会社

出光興産株式会社 について


代理人 (1件)： 伊藤 充
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-272951
公開番号（公開出願番号）：特開2005-292768
出願日： 2004年09月21日
公開日（公表日）： 2005年10月20日
要約：
【課題】 画素電極のエッチング時にソース電極等のAlが溶出しないTFT基板の製造方法を実現する。【解決手段】 透明基板1と、前記透明基板1上に設けられたAlを主成分とするゲート電極2と、前記透明基板1上に設けられたソース電極7と、前記透明基板1上に設けられたドレイン電極8と、透明基板1上に設けられたシリコン層と、前記透明基板1上に設けられた透明電極である画素電極9と、を備えた液晶表示装置用TFT基板において、前記画素電極9(透明電極)が、酸化インジウムと、W、Mo、Ni、Nb、Fe、Pt、Pd、ランタノイドから成る第1群M1から選択された1種又は2種以上の金属の酸化物と、を含む導電性酸化物であり、前記画素電極9は、前記Alを主成分とするゲート電極2及び前記ソース電極7及び前記ドレイン電極8からなる群から選ばれる少なくとも1の電極と直接接合している。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
透明基板と、 前記透明基板上に設けられたAlを主成分とするゲート電極と、 前記透明基板上に設けられたソース電極と、 前記透明基板上に設けられたドレイン電極と、 前記透明基板上に設けられたシリコン層と、 前記透明基板上に設けられた透明電極と、 を備えた液晶表示装置用TFT基板において、前記透明電極が、 酸化インジウムと、 W、Mo、Ni、Nb、Fe、Pt、Pd、ランタノイドから成る第1群M1から選択された1種又は2種以上の金属の酸化物と、 を含む導電性酸化物であり、この前記透明電極は、前記Alを主成分とするゲート電極及び前記ソース電極及び前記ドレイン電極から成る群から選ばれる少なくとも1の電極と直接接合していることを特徴とするTFT基板。
IPC (3件)：
G02F1/1343 ,  G02F1/1368 ,  H01L29/786
FI (3件)：
G02F1/1343 ,  G02F1/1368 ,  H01L29/78 612C
Fターム (41件)：
2H092GA24 ,  2H092HA03 ,  2H092JA24 ,  2H092JA37 ,  2H092JA41 ,  2H092KA18 ,  2H092KB04 ,  2H092KB14 ,  2H092MA05 ,  2H092NA15 ,  2H092NA28 ,  5F110AA03 ,  5F110AA16 ,  5F110BB01 ,  5F110CC07 ,  5F110DD02 ,  5F110EE06 ,  5F110EE44 ,  5F110FF03 ,  5F110FF30 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG15 ,  5F110GG24 ,  5F110GG45 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK09 ,  5F110HK16 ,  5F110HK22 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110HL07 ,  5F110HL23 ,  5F110HM18 ,  5F110NN02 ,  5F110NN12 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN35 ,  5F110NN72
引用特許：
出願人引用 (10件)
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審査官引用 (16件)
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