特許
J-GLOBAL ID：201103006594017287

EUV用反射型マスク及びEUV用反射型マスク製造方法

発明者：
▲高▼橋 博之

▲高▼橋 博之 について


出願人/特許権者：
凸版印刷株式会社

凸版印刷株式会社 について


代理人 (1件)： 野田 茂
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-087557
公開番号（公開出願番号）：特開2011-222612
出願日： 2010年04月06日
公開日（公表日）： 2011年11月04日
要約：
【課題】射影効果の影響が抑制され、縦方向成分と横方向成分の関係における位置ずれを低減させることが可能なEUV用反射型マスク及びその製造方法を提供する。【解決手段】パターン形成したレジスト層104をマスクとして、反射膜層101、保護膜層102、マスク層103に対してパターンを形成し、その後、レジスト層104、マスク加工用マスク層103を剥離する。次に、吸収体層200を積層した後に、保護膜層102の表面が露出するまで研磨し、保護膜層102上の吸収体層200を除去する。このようにして、パターンが形成された反射膜層101、及び保護膜層102の開口部に吸収体層200が積層され、反射膜層101、及び保護膜層102の厚さの合計吸収体層200の厚さとが実質的に同じであることを特徴とする反射型マスクが形成される。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
支持基板と、 前記支持基板の一方の面に積層されパターンが形成された、EUV光を反射させる反射膜層と、 前記反射膜層の前記支持基板と逆側の面に積層され、前記反射膜層のパターンと略同一のパターンが前記支持基板の厚さ方向から見て前記パターンと重なる位置に形成された保護膜層と、 前記反射膜層及び保護膜層のパターンの開口部にEUV光を吸収する吸収体層をそなえている、 ことを特徴とするEUV用反射型フォトマスク。
IPC (2件)：
H01L 21/027 ,  G03F 1/16
FI (2件)：
H01L21/30 531M ,  G03F1/16 A
Fターム (7件)：
2H095BA10 ,  5F046GD02 ,  5F046GD07 ,  5F046GD12 ,  5F146GD02 ,  5F146GD07 ,  5F146GD12
引用特許：
出願人引用 (15件)
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審査官引用 (15件)
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