半導体基材を処理する方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (6件)：青木篤 , 石田敬 , 古賀哲次 , 出野知 , 蛯谷厚志 , 関根宣夫
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-550146
特許番号：特許第4446602号
出願日： 1999年05月19日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 (a)チャンバーに半導体基材を配置すること、 (b)気体又は蒸気の状態で、ケイ素含有化合物及びペルオキシド結合を含む更なる化合物を、前記チャンバーに導入し、そして前記ケイ素含有化合物と前記更なる化合物とを反応させて、前記基材上にポリマー層を提供すること、並びに (c)更なる層の堆積の前に、酸素が100ppm未満の条件において前記基材を放射加熱して、前記ポリマーからO-H結合を実質的に除去し、且つ前記層を実質的に硬化させること、を含む、半導体基材を処理する方法。

IPC (3件)：