半導体装置およびその作製方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005234671
Publication number (International publication number)：2006086514
Application date： Aug. 12, 2005
Publication date： Mar. 30, 2006
Summary：

【課題】本発明は、アクティブマトリクス型の表示装置において、配線の断面積を増大させることなく、相性の悪い2つの膜(ITO膜とアルミニウム膜)からなる配線や電極等を接続し、且つ、大画面化しても低消費電力を実現することを課題とする。【解決手段】本発明は、配線または電極をアルミニウム合金膜の単層とし、そのアルミニウム合金膜の組成を調節してITOとの良好なオーミック接合を目指すのではなく、3層構造とすることで課題を解決する。本発明は、アルミニウム原子のチャネル形成領域への拡散を防止するために、TiまたはMoからなる第1導電層を設け、その上に電気抵抗値の低いアルミニウム単体(純アルミニウム)からなる第2導電層を設ける。さらに、その第2導電層の上に、ITOと反応しないアルミニウム合金からなる第3導電層を設け、配線又は電極を3層構造としてITOと接合させる。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

絶縁表面を有する基板上に、半導体薄膜を活性層とした複数の薄膜トランジスタと、透明導電膜とを有する半導体装置であり、前記半導体装置は、前記活性層と接するチタン単体またはモリブデン単体を含む第1導電層と、前記第1導電層上に接するアルミニウム単体を含む第2導電層と、前記第2導電層上に接する炭素を含むアルミニウム合金を含む第3導電層と、を順に積層した電極または配線を有し、前記第3導電層上に接する透明導電膜を有していることを特徴とする半導体装置。

IPC (5)：

H01L 29/786 , G09F 9/30 , H01L 23/52 , H01L 21/320 , H01L 21/768

FI (5)：

H01L29/78 612C , G09F9/30 330Z , G09F9/30 338 , H01L21/88 R , H01L21/90 C

F-Term (141)：

3K007AB06 , 3K007AB08 , 3K007AB18 , 3K007BA06 , 3K007CB01 , 3K007CC00 , 3K007DB03 , 3K007FA01 , 3K007FA02 , 5C094AA03 , 5C094AA14 , 5C094AA22 , 5C094AA31 , 5C094BA03 , 5C094BA27 , 5C094CA19 , 5C094EA04 , 5C094FB12 , 5C094GB10 , 5C094JA01 , 5F033GG01 , 5F033GG04 , 5F033HH04 , 5F033HH08 , 5F033HH10 , 5F033HH11 , 5F033HH18 , 5F033HH19 , 5F033HH20 , 5F033HH21 , 5F033HH32 , 5F033HH38 , 5F033JJ08 , 5F033JJ18 , 5F033JJ20 , 5F033JJ28 , 5F033JJ38 , 5F033KK01 , 5F033KK04 , 5F033KK08 , 5F033KK10 , 5F033KK18 , 5F033KK19 , 5F033KK20 , 5F033LL04 , 5F033LL06 , 5F033LL09 , 5F033MM05 , 5F033MM08 , 5F033MM19 , 5F033PP15 , 5F033QQ08 , 5F033QQ09 , 5F033QQ10 , 5F033QQ11 , 5F033QQ19 , 5F033QQ21 , 5F033QQ34 , 5F033QQ37 , 5F033QQ58 , 5F033QQ65 , 5F033QQ73 , 5F033QQ90 , 5F033QQ91 , 5F033QQ98 , 5F033RR01 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033RR08 , 5F033RR09 , 5F033RR20 , 5F033SS08 , 5F033SS11 , 5F033SS15 , 5F033TT02 , 5F033VV06 , 5F033VV15 , 5F033WW00 , 5F033WW04 , 5F033XX09 , 5F033XX16 , 5F033XX18 , 5F033XX20 , 5F033XX28 , 5F110AA09 , 5F110AA26 , 5F110BB01 , 5F110BB04 , 5F110CC02 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD15 , 5F110DD17 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE09 , 5F110EE14 , 5F110EE44 , 5F110FF02 , 5F110FF04 , 5F110FF07 , 5F110FF30 , 5F110FF36 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG25 , 5F110GG43 , 5F110GG45 , 5F110GG47 , 5F110HJ01 , 5F110HJ04 , 5F110HJ12 , 5F110HJ23 , 5F110HL01 , 5F110HL03 , 5F110HL04 , 5F110HL06 , 5F110HL12 , 5F110HL23 , 5F110HM03 , 5F110HM15 , 5F110HM18 , 5F110NN03 , 5F110NN22 , 5F110NN35 , 5F110NN36 , 5F110NN72 , 5F110PP01 , 5F110PP03 , 5F110PP34 , 5F110QQ11 , 5F110QQ19 , 5F110QQ23 , 5F110QQ28

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (16)

半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-211195 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
電子装置およびその作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-205417 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
電子回路
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-023289 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所

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Cited by examiner (11)

液晶表示装置用レジスト剥離液
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-192644 Applicant：株式会社東芝
薄膜トランジスタ及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-007050 Applicant：富士通株式会社
特開昭62-240734

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