Pat
J-GLOBAL ID:200903005310529424
表面形状センサとその製造方法
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
岡本 啓三
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2006222015
Publication number (International publication number):2008045999
Application date: Aug. 16, 2006
Publication date: Feb. 28, 2008
Summary:
【課題】水分の侵入を防止しながら、被検体の表面の凹凸を感度良く検出することが可能な表面形状センサとその製造方法を提供すること。【解決手段】シリコン基板10と、シリコン基板10の上方に形成された層間絶縁膜40と、層間絶縁膜40の上に形成された第1水分バリア絶縁膜41と、第1水分バリア絶縁膜41の上に形成された検出電極膜44aと、検出電極膜44aの上に形成された第2水分バリア絶縁膜51と、第2水分バリア絶縁膜51の上に形成され、検出電極膜44aの上に窓55aを備えた保護絶縁膜55とを有する表面形状センサによる。【選択図】図21
Claim (excerpt):
半導体基板と、
前記半導体基板の上方に形成された層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜の上に形成された第1水分バリア絶縁膜と、
前記第1水分バリア絶縁膜の上に形成された検出電極膜と、
前記検出電極膜の上に形成された第2水分バリア絶縁膜と、
前記第2水分バリア絶縁膜の上に形成され、前記検出電極膜の上に窓を備えた保護絶縁膜と、
を有することを特徴とする表面形状センサ。
IPC (3):
G01B 7/28
, G06T 1/00
, A61B 5/117
FI (3):
G01B7/28 A
, G06T1/00 400G
, A61B5/10 322
F-Term (14):
2F063AA41
, 2F063BA29
, 2F063BB08
, 2F063BD05
, 2F063CA31
, 2F063DA02
, 2F063DA05
, 2F063DD07
, 2F063HA01
, 2F063HA04
, 4C038FF01
, 4C038FG00
, 5B047AA25
, 5B047BB10
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (27)
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特開昭61-221883号公報
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指紋センサ
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平3-219539
Applicant:松下電器産業株式会社
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表面形状センサ、並びにそれを用いた個体認証装置および被起動型システム
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-323481
Applicant:株式会社東芝
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表面形状認識用センサの製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2002-071421
Applicant:日本電信電話株式会社, シャープ株式会社, エヌティティエレクトロニクス株式会社
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表面形状検出素子及び表面形状検出装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-370833
Applicant:シャープ株式会社
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半導体装置の作製方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2004-314019
Applicant:株式会社半導体エネルギー研究所
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容量検出型センサ
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2004-142283
Applicant:アルプス電気株式会社
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静電容量検出装置およびその検査方法並びに指紋照合装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-105312
Applicant:ソニー株式会社
-
半導体装置およびその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-265156
Applicant:ソニー株式会社
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形態学的な特徴における変化を容量的に感知するための装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-197906
Applicant:ルーセントテクノロジーズインコーポレーテッド
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指紋認識用半導体装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-323051
Applicant:ソニー株式会社
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特開昭61-221883
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センサ用静電放電保護
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-360932
Applicant:エスティーマイクロエレクトロニクス,インコーポレイテッド
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指紋検出装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-371214
Applicant:ソニー株式会社
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半導体装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-036321
Applicant:ソニー株式会社
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容量検出型センサ及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2002-077937
Applicant:富士通株式会社, 富士通ヴィエルエスアイ株式会社
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半導体装置及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2002-151951
Applicant:富士通株式会社
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接触型センサ内蔵半導体装置及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2002-201384
Applicant:富士通株式会社
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半導体装置及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2003-276022
Applicant:三洋電機株式会社
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容量検出型センサ
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2003-393810
Applicant:アルプス電気株式会社
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表示装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2003-401485
Applicant:三菱電機株式会社
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半導体装置およびその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2003-413199
Applicant:富士通株式会社
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半導体装置の製造方法、回路基板、並びに電子機器
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2004-121647
Applicant:セイコーエプソン株式会社
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半導体装置及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2004-217351
Applicant:セイコーエプソン株式会社
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半導体装置及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2004-330438
Applicant:富士通株式会社
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Application number:特願2004-334520
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Applicant:エスティーマイクロエレクトロニクス,インコーポレイテッド
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特開昭61-221883
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Applicant:日本電信電話株式会社, シャープ株式会社, エヌティティエレクトロニクス株式会社
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Application number:特願2001-036321
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Application number:特願2003-276022
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Application number:特願2004-314019
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