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J-GLOBAL ID：200903029647041209

ケイ素含有ポリマを含むレジスト組成物を用いるパターン形成方法

Inventor：
小澤 美和

About 小澤 美和

, 
渡部 慶二

About 渡部 慶二

, 
矢野 映

About 矢野 映


Applicant, Patent owner：
富士通株式会社

About 富士通株式会社


Agent (1)： 眞鍋 潔 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999341638
Publication number (International publication number)：2001154366
Application date： Dec. 01, 1999
Publication date： Jun. 08, 2001
Summary：
【要約】【課題】 ケイ素含有ポリマを含むレジスト組成物を用いるパターン形成方法に関し、O2 -RIE耐性に優れ、また、アルカリ現像液に依る現像で微細なパターンが形成できるようにする。【解決手段】 第1レジスト材料で下層レジスト層を形成し、その上に、一般式(1)(式中、R:ケイ素含有ポリマの骨格、Ra,Rb,Rc:それぞれ独立にアルキル基、アルケニル基、アリール基又は一般式(2)(式中、Rd:二価の有機基、Re:-H、一価の有機基又はオルガノシリル基、Ra〜Re:それぞれ一種類又は複数種類の官能基、p,q:1以上の整数、r:0または1)で表されるケイ素含有ポリマを含む第2レジスト材料で上層レジスト層を形成し、上層レジスト層を露光、露光後ベーク、現像を行なってパターニングし、パターニングに依って残った上層レジスト層をマスクに下層レジスト層をエッチングする。
Claim (excerpt)：
被加工基板上に、第1のレジスト材料を用いて下層レジスト層を形成する工程と、前記下層レジスト層上に、一般式(1)、即ち、【化1】式中で、R:ケイ素含有ポリマの骨格Ra,Rb,Rc:それぞれ独立にアルキル基、アルケニル基、アリール基または一般式(2)で表される物質の何れかである【化2】Rd:二価の有機基Re:-H、一価の有機基またはオルガノシリル基Ra〜Re:それぞれ一種類或いは複数種類の官能基p及びq:1以上の整数r:0または1で表されるケイ素含有ポリマを含んでなる第2のレジスト材料を用いて上層レジスト層を形成する工程と、前記上層レジスト層を露光、露光後のベーク、現像を行なってパターニングする工程と、前記パターニングに依って残った前記上層レジスト層をマスクとして前記下層レジスト層をエッチングする工程とを順に実施することを特徴とするケイ素含有ポリマを含むレジスト組成物を用いるパターン形成方法。
IPC (2)：
G03F 7/075 511 ,  H01L 21/027
FI (2)：
G03F 7/075 511 ,  H01L 21/30 502 R
F-Term (23)：
2H025AA02 ,  2H025AA09 ,  2H025AB16 ,  2H025AC01 ,  2H025AC04 ,  2H025AC06 ,  2H025AC07 ,  2H025AC08 ,  2H025AD01 ,  2H025AD03 ,  2H025BD20 ,  2H025BE00 ,  2H025BE07 ,  2H025BE08 ,  2H025BE10 ,  2H025BF30 ,  2H025BG00 ,  2H025CB43 ,  2H025CB45 ,  2H025CB52 ,  2H025CC17 ,  2H025DA13 ,  2H025FA17
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (17)
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Cited by examiner (27)
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