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J-GLOBAL ID：200903087241806506

窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及びその製造方法

Inventor：
幡 俊雄

About 幡 俊雄


Applicant, Patent owner：
シャープ株式会社

About シャープ株式会社


Agent (1)： 小池 隆彌
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999322043
Publication number (International publication number)：2001144324
Application date： Nov. 12, 1999
Publication date： May. 25, 2001
Summary：
【要約】【課題】 基板上にn型窒化ガリウム系化合物半導体層とp型窒化ガリウム系化合物半導体層があり、p型窒化ガリウム系化合物半導体層の上に透光性薄膜金属電極が形成されており、p型側から発光を観測する窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、透光性薄膜金属電極を形成する際に基板温度を上げて形成すると、金属が凝集して均一な薄膜電極を形成することができない。【解決手段】 透光性薄膜金属電極を形成する際に基板温度を10〜100°Cに保って、形成する。
Claim (excerpt)：
基板上に、n型窒化ガリウム系化合物半導体層とp型窒化ガリウム系化合物半導体層を含む積層構造が形成され、p型窒化ガリウム系化合物半導体層を発光観測面とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、p型窒化ガリウム系化合物半導体層表面に、連続的な透光性薄膜金属電極を有することを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。
IPC (2)：
H01L 33/00 ,  H01S 5/323
FI (3)：
H01L 33/00 C ,  H01L 33/00 E ,  H01S 5/323
F-Term (20)：
5F041AA05 ,  5F041AA24 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA57 ,  5F041CA74 ,  5F041CA82 ,  5F041CA83 ,  5F041CA88 ,  5F041CA92 ,  5F041CA98 ,  5F041DA07 ,  5F073AA61 ,  5F073CA07 ,  5F073CB05 ,  5F073CB22 ,  5F073DA16 ,  5F073DA30 ,  5F073DA35
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (19)
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