多層膜構造体の形成方法

Inventor： , , , , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：名古屋国際特許業務法人
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2008122891
Publication number (International publication number)：2009272504
Patent number：5553135
Application date： May. 09, 2008
Publication date： Nov. 19, 2009
Claim (excerpt)：

【請求項1】半導体素子用の多層膜構造体を基板上に形成する多層膜構造体の形成方法であって、前記基板上に、当該基板を構成する結晶の格子定数よりも大きな格子定数の結晶からなるとともに圧縮歪を有する圧縮歪半導体層を形成する工程と、前記圧縮歪半導体層の上方に、当該圧縮歪半導体層を構成する結晶の格子定数よりも大きな格子定数の結晶からなるとともに無歪の無歪半導体層を積層する工程とを含み、前記圧縮歪半導体層の圧縮歪を緩和させることにより、前記無歪半導体層に伸張歪を印加する工程を実行することを特徴とする多層膜構造体の形成方法。

IPC (2)：

H01L 21/20 ( 200 6.01) , H01L 21/203 ( 200 6.01)

FI (2)：

H01L 21/20 , H01L 21/203 Z

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (13)

半導体基板及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2006-029959 Applicant：キヤノン株式会社
光デバイス
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2006-270003 Applicant：株式会社東芝
電界効果トランジスタ及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-192681 Applicant：株式会社東芝

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Article cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

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