研究者
J-GLOBAL ID:200901007245799244   更新日: 2022年09月29日

纐纈 明伯

コウキツ アキノリ | Koukitu Akinori
所属機関・部署:
職名: 名誉教授/特別招へい教授
その他の所属(所属・部署名・職名) (2件):
  • 東京農工大学  大学院工学府 応用化学専攻 工学府 応用化学専攻   教授
  • 東京農工大学  工学部 応用分子化学科 工学部 応用分子化学科   教授
ホームページURL (1件): http://epi.chem.tuat.ac.jp/
研究キーワード (8件): バルク成長 ,  高品質結晶 ,  窒化物半導体 ,  THVPE ,  HVPE ,  エピタキシャル成長 ,  気相成長 ,  化合物半導体
競争的資金等の研究課題 (23件):
  • 2018 - 2019 THVPE成長技術による大型・高品質バルク結晶の開発
  • 2016 - 2018 低コストIII-V気相成長(H-VPE)の研究開発
  • 2013 - 2018 THVPE法による高品質バルクGaN成長用装置
  • 2014 - 2016 高品質・厚膜InGaNのTHVPE成長
  • 2011 - 2013 原料分子制御法による新しいバルクGaN成長法の創出
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論文 (79件):
MISC (471件):
特許 (133件):
書籍 (7件):
  • ポストシリコン半導体-ナノ成膜ダイナミクスと基板・界面効果
    エヌ・ティー・エス 2013 ISBN:4864690596
  • 窒化物基板および格子整合基板の成長とデバイス特性
    シーエムシー出版 2009
  • Bulk Single Crystals of Group III Nitride Substrates and Lattice-Matched Substrates for High Performance Nitride-Based Devices
    CMC Publishing Co.,Ltd. 2009
  • 薄膜ハンドブック(第2版)
    オーム社 2008
  • 電子物性・材料の事典
    朝倉書店 2006 ISBN:9784254221503
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講演・口頭発表等 (223件):
  • 窒化物半導体のHVPE成長 -GaN, AlN, InN, AlGaN-
    (バルク窒化物単結晶作製 2010)
  • HVPE Growth of Nitrides
    (Growth of Bulk Nitrides 2010)
  • 高品位厚膜InGaN三元混晶成長の検討
    (東北大プロジェクト研究会プログラム 2009)
  • ZnCl2-H2O系HVPEにより高温成長したホモエピタキシャルZnO膜の特性評価
    (応用物理学会結晶工学分科会2009年年末講演会 2009)
  • ハイドライド気相成長法によるsapphire(0001)基板上InN成長の成長温度依存性
    (応用物理学会結晶工学分科会2009年年末講演会 2009)
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Works (26件):
  • 高品位単結晶窒化アルミニウム基板の開発
    2009 - 2010
  • HVPE法によるAIN合成プロセスの研究
    2009 - 2010
  • 化合物半導体気相成長における反応解析
    2008 - 2009
  • HVPE法によるAIN合成プロセスの研究
    2008 - 2009
  • 高品位単結晶窒化アルミニウム基板の開発
    2008 - 2009
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学歴 (2件):
  • - 1972 東京農工大学 工学部 工業化学科
  • - 1972 東京農工大学
学位 (1件):
  • 工学博士 (東北大学)
経歴 (18件):
  • 2013 - 2017 東京農工大学 学術・研究担当理事/副学長
  • 2000 - 2017 東京農工大学 工学部 教授
  • 2017 - 東京農工大学 工学研究院 特別招へい教授
  • 2017 - 東京農工大学 名誉教授
  • 2011 - 2013 東京農工大学 教育担当理事/副学長
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受賞 (6件):
  • 2014 - 応用物理学会 論文賞
  • 2013 - 応用物理学会 化合物半導体エレクトロニクス業績賞 化合物半導体エピタキシャル成長の熱力学解析及び高品質バルク結晶成長法の創製
  • 2013 - 応用物理学会 論文賞
  • 2013 - 応用物理学会 フェロー表彰 化合物半導体の気相成長に関する研究
  • 1999 - 日本結晶成長学会 論文賞 原子の重さをはかるー重量のその場測定ー
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所属学会 (2件):
日本結晶成長学会 ,  応用物理学会
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