GaNベースの半導体デバイスを製造する方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：矢野敏雄 , 山崎利臣 , 久野琢也 , アインゼル・フェリックス=ラインハルト , ラインハルト・アインゼル
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-301854
公開番号（公開出願番号）：特開2007-073986
出願日： 2006年11月07日
公開日（公表日）： 2007年03月22日
要約：

【課題】GaNベースの半導体デバイスのための技術的に簡単かつ安価な製造方法を提供し、高められた発光効率を有する半導体デバイスのための製造方法を開発すること【解決手段】GaNベースの多数の層(4)を、基板ボディ(1)と介在層(2)とを有する張り合せ基板上に被着し、この場合、基板ボディ(1)の熱膨張係数が、GaNベースの層(4)の熱膨張係数に近似しているか又はGaNベースの層(4)の熱膨張係数より大きく、GaNベースの層(4)を介在層(2)上に析出させる。有利には、介在層及び基板ボディを、ウェハボンディング法によって張り合せる。【選択図】図1c

請求項（抜粋）：

GaNベースの多数の層を有する半導体デバイスをエピタキシャル成長によって製造する方法であって、 GaNベースの層(4)を、基板ボディ(1)と介在層(2)とを有する張り合せ基板上に被着し、この場合、基板ボディ(1)の熱膨張係数が、GaNベースの層(4)の熱膨張係数に近似しているか又はGaNベースの層(4)の熱膨張係数よりも大きく、かつGaNベースの層(4)を介在層(2)上に析出させることを特徴とする、GaNベースの半導体デバイスを製造する方法。

IPC (3件)：

H01L 21/205 , H01L 33/00 , H01S 5/343

FI (3件)：

H01L21/205 , H01L33/00 C , H01S5/343 610

Fターム (15件)：

5F041CA40 , 5F041CA77 , 5F045AB14 , 5F045AF02 , 5F045AF03 , 5F045AF04 , 5F045AF09 , 5F045AF13 , 5F045DA53 , 5F045DA69 , 5F045DB02 , 5F045HA17 , 5F173AH22 , 5F173AQ02 , 5F173AQ05

引用特許：

出願人引用 (1件)

US5786606

審査官引用 (21件)

半導体発光素子及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-051141 出願人：株式会社東芝
半導体発光素子及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-222090 出願人：住友電気工業株式会社
窒化物半導体素子の製造方法及び窒化物半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-148470 出願人：日亜化学工業株式会社

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