特許
J-GLOBAL ID：200903017194452972
透明導電膜およびスパッタリングターゲット
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-125700
公開番号（公開出願番号）：特開2004-339607
出願日： 2004年04月21日
公開日（公表日）： 2004年12月02日
要約：
【課題】表面平坦性に優れ、OLEDディスプレーの透明電極として用いた場合に、ダークスポット等の表示欠陥が生成せず、かつ耐還元性の良好な透明導電膜を得る。【解決の手段】スズをSn/(In+Sn)の原子比で13〜22%の割合で含有させることにより、結晶子が小さく表面平坦性及び耐還元性に優れたITO透明導電膜とすることが可能となる。この様な透明導電膜は、インジウム、スズおよび酸素からなり、スズをSn/(In+Sn)の原子比で16〜28%の割合で含有し、焼結密度が相対密度で99%以上であり、かつ酸化インジウムと酸化スズの中間化合物であるIn4Sn3O12のX線回折ピーク(220)面の積分強度が、In2O3のX線回折ピーク(211)面の積分強度に対して90〜300%である焼結体からなるスパッタリングターゲットを用いることにより成膜することができる。【選択図】 選択図なし
請求項（抜粋）：
ガラス基板上にスパッタリング法により形成されたグレイン-サブグレイン構造を有するインジウム、スズおよび酸素からなる透明導電膜であって、以下の条件を全て満足する透明導電膜。
抵抗率が130μΩcm以上、200μΩcm未満
表面粗さRaが0.5nm以上、1.0nm未満
平均結晶粒径が70nm以上、150nm未満
スズの含有量がSn/(In+Sn)の原子比で13%以上、22%以下
IPC (6件)：
C23C14/08
, C23C14/34
, H01B5/14
, H05B33/10
, H05B33/14
, H05B33/28
C23C14/08 D
, C23C14/34 A
, H01B5/14 A
, H05B33/10
, H05B33/14 A
, H05B33/28
3K007AB05
, 3K007AB18
, 3K007CB01
, 3K007DB03
, 3K007FA01
, 4K029BA45
, 4K029BC07
, 4K029DC05
, 4K029DC09
, 5G307FA01
, 5G307FB01
, 5G307FC10
, 5G323BA02
, 5G323BB05
