特許
J-GLOBAL ID：200903027007259280
窒化物系半導体レーザ装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
宮園 博一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-016357
公開番号（公開出願番号）：特開2002-305349
出願日： 2002年01月25日
公開日（公表日）： 2002年10月18日
要約：
【要約】【課題】ジャンクションダウン組立の際の歩留まりを向上させることができるとともに、良好な放熱特性を得ることができ、かつ、素子寿命の低下を防止することが可能な窒化物系半導体レーザ装置を提供する。【解決手段】リッジ部の露出された上面に接触するように形成されたp側電極10と、そのp側電極10上に形成された約3μmの大きな厚みを有するp側パッド電極11とを備える。そして、p側電極10とp側パッド電極11との合計厚み(約3μm)は、MQW活性層4の下のn型クラッド層3の下面からリッジ部の上面までの距離(約1.0μm〜約2.1μm)よりも大きい。
請求項（抜粋）：
活性層と前記活性層上に形成されたリッジ部とを有する窒化物系半導体層と、前記リッジ部の露出された上面に接触するように形成され、前記活性層の下のクラッド層の下面から前記リッジ部の上面までの距離よりも大きい厚みを有する第1電極層とを備えた、窒化物系半導体レーザ装置。
IPC (3件)：
H01S 5/042 612
, H01S 5/22
, H01S 5/323 610
H01S 5/042 612
, H01S 5/22
, H01S 5/323 610
5F073AA13
, 5F073AA51
, 5F073AA74
, 5F073BA05
, 5F073CA07
, 5F073CB05
, 5F073CB22
, 5F073CB23
, 5F073EA29
, 5F073FA30
