特許
J-GLOBAL ID:200903032785683174

プラズマ装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 福森 久夫
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2008-151121
公開番号(公開出願番号):特開2008-277306
出願日: 2008年06月09日
公開日(公表日): 2008年11月13日
要約:
【課題】大面積において均一な高密度プラズマを励起し、原料ガス供給の均一化および反応副生成物ガスの高速除去ができるプラズマ装置を提供する。【解決手段】4406は真空容器、4407は電極I、4408は基体、4410はシャワープレート、4411は電極II、4412はガス導入口、4413は磁場の印加ロ手段、4414は真空ポンプ。磁場の印加手段4413として、複数の永久磁石を環状に並べたダイポールリングマグネットが用いられている。ガス導入口4412から導入されたガスは、シャワープレート4410の多数の小孔からプロセス空間に放出される。この導入ガス、及び基体表面から放出された反応生成ガスは、基体側部の磁場の印加手段4413a及び4413bに挟まれた空間を通り、複数の真空ポンプ4414から外部へ排気される。真空ポンプ4414の上部には、ガスのコンダクタンスを低下させないよう比較的広い空間が設けてある。【選択図】図44
請求項(抜粋):
真空容器内に電極Iを備え、プラズマを用いて処理が行われる基体を前記電極Iと接するように載置しており、前記プラズマ中に磁場を印加する目的で前記真空容器外に磁場の印加手段I及びIIを備え、前記真空容器内に導入された気体の少なくとも一部が前記磁場の印加手段IとIIに挟まれた空間を通って排気するプラズマ装置において、 前記磁場の印加手段I、またはIIが、複数の永久磁石で構成された環状の磁石であることを特徴とするプラズマ装置。
IPC (5件):
H05H 1/46 ,  H01L 21/306 ,  H01L 21/31 ,  C23C 16/511 ,  C23C 16/44
FI (6件):
H05H1/46 M ,  H05H1/46 B ,  H01L21/302 101D ,  H01L21/31 A ,  C23C16/511 ,  C23C16/44 E
Fターム (44件):
4K030AA06 ,  4K030AA17 ,  4K030BA29 ,  4K030BB02 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030EA11 ,  4K030FA02 ,  4K030HA08 ,  4K030KA20 ,  4K030KA30 ,  4K030KA46 ,  4K030LA15 ,  5F004BA08 ,  5F004BA20 ,  5F004BB08 ,  5F004BB14 ,  5F004BB28 ,  5F004BB29 ,  5F004BC02 ,  5F004BD04 ,  5F004DA00 ,  5F004DA23 ,  5F004DA26 ,  5F004DB03 ,  5F004DB04 ,  5F004EB01 ,  5F004EB03 ,  5F045AA09 ,  5F045AA20 ,  5F045AB02 ,  5F045AB31 ,  5F045AB32 ,  5F045AB33 ,  5F045AC01 ,  5F045AC07 ,  5F045AC11 ,  5F045AC12 ,  5F045AC15 ,  5F045AC16 ,  5F045DP03 ,  5F045EC05 ,  5F045EG01 ,  5F045EH16
引用特許:
審査官引用 (25件)
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