特許
J-GLOBAL ID:200903047712714788
加熱処理装置、加熱処理方法、制御プログラム、コンピュータ読取可能な記憶媒体
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
高山 宏志
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2005-352131
公開番号(公開出願番号):特開2007-158088
出願日: 2005年12月06日
公開日(公表日): 2007年06月21日
要約:
【課題】 基板が大型であっても基板の破損を確実に防止することができるとともに、スループットの向上を図ることが可能な加熱処理装置を提供する。【解決手段】 加熱処理装置は、基板を一方向に搬送する搬送路としてのコロ搬送機構と、搬送路を搬送されている基板を加熱する加熱機構とを具備し、加熱機構は、搬送路に沿って搬送方向上流側から予備加熱部7aと主加熱部7bとが配置されてなり、主加熱部7bは第1の温度に設定され、予備加熱部7aは第1の温度よりも高い第2の温度に設定されており、基板Gを、予備加熱部7aにおいて第1の温度近傍まで加熱した後、主加熱部7bにおいて第1の温度で加熱する。【選択図】 図5
請求項(抜粋):
基板に加熱処理を施す加熱処理装置であって、
基板を一方向に搬送する搬送路と、
前記搬送路を搬送されている基板を加熱する加熱機構と
を具備し、
前記加熱機構は、
前記搬送路に沿って搬送方向上流側から順に予備加熱部と主加熱部とが配置されてなり、
前記主加熱部が第1の温度に設定され、前記予備加熱部が前記第1の温度よりも高い第2の温度に設定されており、
基板を、前記予備加熱部において前記第1の温度近傍まで加熱した後、前記主加熱部において前記第1の温度で加熱することを特徴とする加熱処理装置。
IPC (1件):
FI (1件):
Fターム (2件):
引用特許:
出願人引用 (19件)
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基板処理装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2001-024768
出願人:東京エレクトロン株式会社
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加熱処理装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2000-318178
出願人:東京エレクトロン株式会社
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熱処理装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平10-018300
出願人:東京エレクトロン株式会社
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審査官引用 (16件)
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特開平1-093121
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加熱装置及び加熱方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2005-213045
出願人:富士フイルムホールディングス株式会社
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半導体基板の温度制御装置及び熱交換プレート
公報種別:公開公報
出願番号:特願2000-140392
出願人:株式会社小松製作所
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熱処理装置および熱処理方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平10-304860
出願人:松下電子工業株式会社
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塗布膜の乾燥方法及びその装置、デバイスの製造方法、デバイス
公報種別:公開公報
出願番号:特願2002-077151
出願人:セイコーエプソン株式会社
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特開昭58-075154
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特開昭58-075154
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硬基板のベーク装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-226102
出願人:富士写真フイルム株式会社
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特開昭64-000738
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特開昭64-000738
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基板処理装置及び基板処理方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2004-136555
出願人:東京エレクトロン株式会社
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熱処理装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平6-285897
出願人:東京エレクトロン株式会社, 東京エレクトロン九州株式会社
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基板加熱装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平9-049844
出願人:大日本スクリーン製造株式会社
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半導体ウェハベーキング装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-107767
出願人:富士通株式会社, 株式会社九州富士通エレクトロニクス
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円盤状ヒータ及び温度制御装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平11-293363
出願人:株式会社小松製作所
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特開平1-093121
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