特許
J-GLOBAL ID：200903048910085768

コンタクトホールの形成方法

発明者：
松谷 哲也

松谷 哲也 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (1件)： 小笠原 史朗
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-281165
公開番号（公開出願番号）：特開2004-111925
出願日： 2003年07月28日
公開日（公表日）： 2004年04月08日
要約：
【課題】 ゲート電極の疎密にかかわらず、安定したコンタクトホールを形成する方法を提供する。【解決手段】 ゲート電極形成領域が疎な場合と密である場合があるとき、トランジスタが形成された半導体基板上にBPSG膜4を堆積する工程と、BPSG膜を平坦化する工程と、BPSG膜上に絶縁膜5を堆積する工程と、BPSG膜および絶縁膜に半導体基板に達するコンタクトホール8を形成する工程と、を備えることを特徴とするコンタクトホールの形成方法を提供する。その結果、ゲート電極形成領域の疎密にかかわらず、基板からのBPSG膜厚が均一となるため、コンタクトホール間のエッチングレートが均一となり、コンタクト抵抗、リーク電流値のばらつきの少ないコンタクトホールを形成することが出来る。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
ゲート電極が密に形成されている領域とゲート電極が疎に形成されている領域に対して、コンタクトホールを形成する方法であって、 トランジスタが形成された半導体基板上に第1の絶縁膜を堆積する工程と、 前記第1の絶縁膜を平坦化する工程と、 前記第1の絶縁膜上に、前記第1の絶縁膜とエッチングレートの異なる第2の絶縁膜を堆積する工程と、 前記第1の絶縁膜および第2の絶縁膜に対して、コンタクトホールを形成する工程とを備える、コンタクトホールの形成方法。
IPC (3件)：
H01L21/768 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/088
FI (3件)：
H01L21/90 C ,  H01L21/90 M ,  H01L27/08 102D
Fターム (43件)：
5F033HH04 ,  5F033JJ19 ,  5F033KK01 ,  5F033KK04 ,  5F033PP06 ,  5F033PP27 ,  5F033PP28 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ19 ,  5F033QQ31 ,  5F033QQ35 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ74 ,  5F033QQ75 ,  5F033QQ93 ,  5F033RR01 ,  5F033RR04 ,  5F033RR09 ,  5F033RR13 ,  5F033RR15 ,  5F033RR21 ,  5F033RR29 ,  5F033SS04 ,  5F033SS11 ,  5F033TT02 ,  5F033TT08 ,  5F033VV06 ,  5F033VV16 ,  5F033XX01 ,  5F033XX09 ,  5F033XX24 ,  5F048AA01 ,  5F048AC01 ,  5F048BA01 ,  5F048BB05 ,  5F048BF07 ,  5F048BF11 ,  5F048BF15 ,  5F048BF16 ,  5F048BG13
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (13件)
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