特許
J-GLOBAL ID：200903070060231951
プラズマ装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
福森 久夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-000067
公開番号（公開出願番号）：特開2009-117373
出願日： 2009年01月05日
公開日（公表日）： 2009年05月28日
要約：
【課題】容器内部が狭い空間内部において、プラズマ電位の低い大面積において均一な高密度プラズマを励起し、大面積の基板上に高品質の薄膜を低温且つ高速で均一に成膜でき、エッチングプラズマプロセスその他のプラズマ処理にも使用できるプラズマ装置を提供する。【解決手段】真空容器5301と前記容器内でプラズマを生成させるために必要な原料ガスの導入口5302、前記容器内に導入された原料ガスを排気する真空ポンプ5303を有し、前記容器の外側にはマイクロ波を放射するアンテナ5305と、前記容器の内側に処理される基体5308が載置される電極5306とを設けてある。基板5308の上方の成膜空間の側方に、真空ポンプ5303の吸引口に直結して形成された排気空間が設けてあり、前記排気空間の横幅Wは、前記成膜空間の高さaの2倍以上である。横幅Wを高さaの2倍にするとガス流の均一性は急激に向上する。【選択図】図53
請求項（抜粋）：
被処理体上方の成膜空間の側方に、真空ポンプの吸引口に直結して形成された排気空間を設けたプラズマ装置において、
前記排気空間の横幅は、成膜空間の高さの2倍以上であることを特徴とするプラズマ装置。
IPC (3件)：
H05H 1/46
, H01L 21/306
, H01L 21/205
H05H1/46 B
, H01L21/302 101D
, H01L21/205
5F004AA01
, 5F004BB14
, 5F004BB29
, 5F004BC02
, 5F004BD04
, 5F004DA00
, 5F004DA04
, 5F004DA26
, 5F004DB02
, 5F045AA08
, 5F045AB03
, 5F045AB32
, 5F045AB33
, 5F045AC01
, 5F045AC11
, 5F045AC12
, 5F045AC16
, 5F045AC18
, 5F045BB02
, 5F045EC05
, 5F045EG01
, 5F045EH02
, 5F045EH03
