特許
J-GLOBAL ID：200903095584814990
基板処理装置および基板処理方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
吉田 茂明
, 吉竹 英俊
, 有田 貴弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-245512
公開番号（公開出願番号）：特開2008-066645
出願日： 2006年09月11日
公開日（公表日）： 2008年03月21日
要約：
【課題】基板処理装置内への昇華物の飛散を抑制することができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。【解決手段】反射防止膜用の塗布液が塗布された基板Wが熱処理プレート211上に載置されて加熱されることにより、基板W上に反射防止膜が焼成される。所定時間の焼成処理が終了すると、カバー240が上昇するとともに、支持ピン221も上昇して熱処理プレート211の載置面211aから基板Wが突き上げられて離間され、基板温度が徐々に降温する。この状態にて焼成後の反射防止膜から昇華物の発生が停止する温度以下に基板温度が降温するまでホットプレートHP1内に基板Wを待機させてから搬送ロボットがホットプレートHP1から基板Wを搬出する。【選択図】図8
請求項（抜粋）：
基板上に膜形成処理を行う基板処理装置であって、
基板上に薬液を塗布する塗布処理部と、
前記薬液が塗布された基板を加熱して基板上に膜を焼成する加熱部と、
前記塗布処理部と前記加熱部との間で基板を搬送する搬送手段と、
を備え、
前記加熱部は、基板を載置して加熱する熱処理プレートと、前記熱処理プレートの載置面に載置されている基板を当該載置面から離間させる離間機構と、を有し、
前記熱処理プレートによる加熱処理が終了して前記離間機構によって前記載置面から離間された基板の温度が前記加熱部内にて所定温度以下にまで降温した時点で前記搬送手段が前記加熱部から当該基板を搬出することを特徴とする基板処理装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (1件)：
引用特許：
出願人引用 (1件)
審査官引用 (14件)
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