特許
J-GLOBAL ID：201103059706447553
シリコン系組成物、低誘電率膜、半導体装置および低誘電率膜の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
土井 健二
, 林 恒徳
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-084475
公開番号（公開出願番号）：特開2002-284998
特許番号：特許第4545973号
出願日： 2001年03月23日
公開日（公表日）： 2002年10月03日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 シロキサン樹脂と、1分子中の主鎖中にプロピレン基またはフェニル基を含み、実質的にケイ素と炭素と水素とよりなる一種類以上のシリコン化合物と、溶剤とを含み、
上記シリコン化合物が、下記式(2)の構造を有するシリコン化合物であり、
(ここで、R4,R5は互いに異なっていても良い、Hまたは炭素数1〜3の脂肪族炭化水素、または炭素数6〜9の芳香族炭化水素、R6は炭素数1〜3の脂肪族炭化水素、またはフェニレン基を意味する。またpは20〜1,000の整数である。)
上記シロキサン樹脂の100重量部に対し、上記シリコン化合物を0.1重量部以上含み、
上記シロキサン樹脂が、式(3)の構造を有し、テトラアルコキシシランのゾルゲルポリマ,トリアルコキシシランのゾルゲルポリマ,メチルトリアルコキシシランのゾルゲルポリマ,テトラアルコキシシランとトリアルコキシシランのゾルゲルポリマ,テトラアルコキシシランとメチルトリアルコキシシランのゾルゲルポリマ,メチルトリアルコキシシランとトリアルコキシシランのゾルゲルポリマおよびテトラアルコキシシランとジメチルアルコキシシランのゾルゲルポリマからなる群から選ばれたシロキサン樹脂であることを特徴とする組成物。
(ここで、R1,R2,R3は互いに異なっていても良い、水素、メチル基または-O-結合である。またnは5〜1000の整数である。)
IPC (6件)：
C08L 83/04 ( 200 6.01)
, C08L 83/16 ( 200 6.01)
, C08J 9/26 ( 200 6.01)
, H01L 21/312 ( 200 6.01)
, H01L 21/768 ( 200 6.01)
, H01L 23/522 ( 200 6.01)
C08L 83/04
, C08L 83/16
, C08J 9/26 CFH
, C08J 9/26 102
, H01L 21/312 C
, H01L 21/90 S
