特許
J-GLOBAL ID：201203016922846523

熱処理装置および熱処理方法

発明者：
樹山 弘喜

樹山 弘喜 について

, 
布施 和彦

布施 和彦 について

, 
加藤 慎一

加藤 慎一 について


出願人/特許権者：
大日本スクリーン製造株式会社

大日本スクリーン製造株式会社 について


代理人 (2件)： 吉竹 英俊 ,  有田 貴弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-209498
公開番号（公開出願番号）：特開2012-104808
出願日： 2011年09月26日
公開日（公表日）： 2012年05月31日
要約：
【課題】焼成時における膜中の異常結晶成長を防止することができる熱処理装置および熱処理方法を提供する。【解決手段】表面に薄膜が形成された半導体ウェハーWがチャンバー6内に搬入されて保持プレート7に保持される。半導体ウェハーWは保持プレート7に内蔵されたヒータなどによって所定温度に温調される。その後、フラッシュ照射部5のフラッシュランプFLから半導体ウェハーWに向けてフラッシュ光が照射され、薄膜の焼成処理が行われる。発光時間が極めて短く強度の強いフラッシュ光であれば、薄膜の表面温度を瞬間的に昇温させてすぐに降温させることができる。このため、膜中に長時間焼成に起因した異常結晶成長が生じるのを防止することができる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板の表面に形成された薄膜の焼成処理を行う熱処理装置であって、 薄膜が表面に形成された基板を収容するチャンバーと、 前記チャンバー内にて前記基板を保持する保持手段と、 前記保持手段に設けられ、前記保持手段が保持する前記基板を所定温度に温調する温調手段と、 前記チャンバー内に処理ガスを供給するガス供給手段と、 前記チャンバーから排気を行う排気手段と、 前記保持手段に保持されて前記温調手段によって所定温度に温調されている前記基板にフラッシュ光を照射するフラッシュランプと、 を備えることを特徴とする熱処理装置。
IPC (4件)：
H01L 21/31 ,  H01L 21/26 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/027
FI (4件)：
H01L21/31 E ,  H01L21/26 G ,  H01L21/20 ,  H01L21/30 567
Fターム (35件)：
5F045AA20 ,  5F045AB31 ,  5F045AB39 ,  5F045AC11 ,  5F045AC15 ,  5F045AC16 ,  5F045AC17 ,  5F045AD04 ,  5F045AD05 ,  5F045AD09 ,  5F045AE01 ,  5F045BB01 ,  5F045DP03 ,  5F045DQ10 ,  5F045EB06 ,  5F045EF05 ,  5F045EJ09 ,  5F045EK07 ,  5F045EK11 ,  5F045EK27 ,  5F045EM06 ,  5F146KA01 ,  5F152BB09 ,  5F152CC02 ,  5F152CC04 ,  5F152CE04 ,  5F152CE05 ,  5F152CE06 ,  5F152CE32 ,  5F152EE08 ,  5F152FF13 ,  5F152FF15 ,  5F152FF24 ,  5F152FF37 ,  5F152FF39
引用特許：
審査官引用 (21件)
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