特許
J-GLOBAL ID：200903027020339765
半導体素子の製造方法、及びそれにより得られる半導体素子
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-298125
公開番号（公開出願番号）：特開2007-109822
出願日： 2005年10月12日
公開日（公表日）： 2007年04月26日
要約：
【課題】従来の基板表面加工、基板切断において、基板加工面の割れや欠けの発生を防ぎ、好適な加工精度となる半導体素子の製造方法を提供する。【解決手段】本発明の製造方法は、ウエハ50を基板片12に切断、分離する分離工程の後に、基板片12で構成された保持基板11(ウエハ51)を表面処理加工、例えば研磨処理又はブラスト処理、することで、基板の割れ、欠けを防止して、所望の形状となるような表面加工が可能となる。また、予め分離溝40を形成するような場合には、例えばレーザスクライブ痕の生成物41をその表面加工工程により除去することもできる。【選択図】図1B
請求項（抜粋）：
基板の第1の主面上に半導体層を有する半導体素子の製造方法において
半導体層が設けられた基板を、複数の基板片に分離し、板状に保持された基板を形成する基板分離工程と、
前記板状保持基板を、少なくとも基板表面の一部、若しくは少なくとも基板片の角部の一部を削り取る表面加工処理する表面加工工程と、
を具備することを特徴とする半導体素子の製造方法。
IPC (1件)：
FI (3件)：
H01L21/78 L
, H01L21/78 Q
, H01L21/78 H
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (12件)
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