特許
J-GLOBAL ID:201303055799561872
アドレス発生回路
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
國分 孝悦
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-101825
公開番号(公開出願番号):特開2002-298594
特許番号:特許第4790925号
出願日: 2001年03月30日
公開日(公表日): 2002年10月11日
請求項(抜粋):
【請求項1】 一端が電源電圧源に接続され、他端が第1のノードに接続された第1のスイッチトランジスタと、
一端が前記第1のノードに接続され、他端が第2のノードに接続された第2のスイッチトランジスタと、
一端が前記第2のノードに接続され、他端がグランドに接続されたヒューズ素子と、
前記第1のスイッチトランジスタのオン/オフを制御する第1のリセット信号および前記第2のスイッチトランジスタのオン/オフを制御する第2のリセット信号を出力するパワーオンリセット回路と、
入力端が前記第1のノードに接続され、前記ヒューズ素子の切断または非切断に対応した所定の電位をラッチして出力するラッチ回路と、
前記第2のノードと前記グランドの間に前記ヒューズ素子と並列に接続され、少なくとも前記ヒューズ素子の非切断状態の抵抗値よりも大きく、かつ、前記第2のスイッチトランジスタのオン状態の抵抗値よりも大きい抵抗値を有する抵抗素子と、を有するアドレス発生回路であって、
前記第1のリセット信号は、電源投入直後からの第1の期間において前記第1のスイッチトランジスタをオンにし、前記第1の期間が終わった後は前記第1のスイッチトランジスタを常時オフに保持する信号であって、
前記第2のリセット信号は、少なくとも、前記第1の期間以降の第2の期間において前記第2のスイッチトランジスタをオンにし、前記第2の期間が終わった後は前記第2のスイッチトランジスタを常時オフに保持する信号であって、
前記パワーオンリセット回路は、
電源電圧源のレベル上昇に追従して上昇するレベルを出力する第1のレベル生成部と、前記第1のレベル生成部の出力端から複数段直列に接続された第1のインバータ列を有する第1のインバータ遅延回路とを有し、前記第1のリセット信号を出力する第1のパワーオンリセット回路と、
電源電圧源のレベル上昇に追従して上昇するレベルを出力する第2のレベル生成部と、前記第2のレベル生成部の出力端から複数段直列に接続された第2のインバータ列を有する第2のインバータ遅延回路とを有し、前記第2のリセット信号を出力する第2のパワーオンリセット回路とを備え、
前記第1のインバータ遅延回路の1段目のインバータのしきい値が前記第2のインバータ遅延回路の1段目のインバータのしきい値より低いことを特徴とするアドレス発生回路。
IPC (2件):
G11C 29/04 ( 200 6.01)
, H03K 17/22 ( 200 6.01)
FI (2件):
G11C 29/00 603 K
, H03K 17/22 C
引用特許:
審査官引用 (30件)
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半導体記憶装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平9-162316
出願人:三菱電機株式会社
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半導体集積回路装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平11-215350
出願人:株式会社東芝
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半導体集積回路
公報種別:公開公報
出願番号:特願平9-203608
出願人:日本電気アイシーマイコンシステム株式会社
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ヒューズ検出回路およびその集積回路メモリ
公報種別:公開公報
出願番号:特願2000-048621
出願人:モトローラ・インコーポレイテッド
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特許第2595271号
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特公平5-082680
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半導体記憶装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平9-288651
出願人:株式会社東芝
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リセット信号発生回路
公報種別:公開公報
出願番号:特願平9-185117
出願人:株式会社東芝
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不揮発性半導体記憶装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-004955
出願人:富士通株式会社
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ヒューズ-リフレッシュ回路
公報種別:公開公報
出願番号:特願平9-217049
出願人:シーメンスアクチエンゲゼルシヤフト
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半導体装置および比較回路
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-309616
出願人:三菱電機株式会社
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特公平5-082680
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連想記憶装置システムおよびプログラム可能なリードオンリメモリ
公報種別:公開公報
出願番号:特願平6-119954
出願人:アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド
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パワーオンリセット回路
公報種別:公開公報
出願番号:特願平9-235776
出願人:三菱電機株式会社
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半導体集積回路
公報種別:公開公報
出願番号:特願2000-371939
出願人:株式会社東芝, 東芝マイクロエレクトロニクス株式会社
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特開平2-254811
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特開昭61-222318
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リペア信号発生回路
公報種別:公開公報
出願番号:特願2000-016201
出願人:三菱電機株式会社
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特許第2821411号
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半導体メモリ素子
公報種別:公開公報
出願番号:特願平8-018656
出願人:エルジイ・セミコン・カンパニイ・リミテッド
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電圧検出回路
公報種別:公開公報
出願番号:特願2001-127508
出願人:株式会社リコー
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半導体集積回路
公報種別:公開公報
出願番号:特願2000-164442
出願人:富士通株式会社
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パワーオンリセット回路
公報種別:公開公報
出願番号:特願2000-115218
出願人:セイコーエプソン株式会社
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特開昭63-246919
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特開平4-072912
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半導体集積回路装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平8-000710
出願人:三菱電機株式会社
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半導体記憶装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-186610
出願人:三菱電機株式会社
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プログラム回路
公報種別:公開公報
出願番号:特願平3-260181
出願人:日本電気アイシーマイコンシステム株式会社
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起動回路及び半導体集積回路装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平10-336962
出願人:富士通株式会社, 富士通ヴィエルエスアイ株式会社
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パルス発生回路
公報種別:公開公報
出願番号:特願平10-180625
出願人:沖電気工業株式会社
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