特許
J-GLOBAL ID：201403092939975818
マスクブランク用基板セットの製造方法、マスクブランクセットの製造方法、フォトマスクセットの製造方法、及び半導体デバイスの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：
青木 宏義
, 天田 昌行
, 岡田 喜雅
, 菅野 亨
, 溝口 勉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-159006
公開番号（公開出願番号）：特開2014-002395
出願日： 2013年07月31日
公開日（公表日）： 2014年01月09日
要約：
【課題】高い重ね合わせ精度を要求されるフォトマスクに好適な基板セットを提供すること。【解決手段】薄膜が設けられる側の主表面が研磨された基板を複数枚準備する研磨工程と、前記基板における薄膜が設けられる側の主表面の形状を測定し、前記主表面の中央部を含む一辺が142mmの四角形の内側領域における平坦度が0.3μm以下である基板を複数枚選定する形状選定工程と、前記複数枚の基板における薄膜が設けられる側の主表面の形状から平均の主表面の形状を算出してこれを基準基板における基準主表面の形状とし、前記複数枚の基板のうちの各基板における薄膜が設けられる側の主表面の形状を、前記基準主表面の形状に対してフィッティングを行い、そのフィッティング差が40nm以下となる基板をマスクブランク用基板として選定する基板選定工程と、前記マスクブランク用基板を複数枚集め、マスクブランク用基板セットとする工程と、を有する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
マスクブランク用基板を複数枚セットとしたマスクブランク用基板セットの製造方法であって、
薄膜が設けられる側の主表面が研磨された基板を複数枚準備する研磨工程と、
研磨工程後の前記基板における薄膜が設けられる側の主表面の形状を測定し、前記主表面の中央部を含む一辺が142mmの四角形の内側領域における平坦度が0.3μm以下である基板を複数枚選定する形状選定工程と、
前記形状選定工程で選定された前記複数枚の基板における薄膜が設けられる側の主表面の形状から平均の主表面の形状を算出してこれを基準基板における基準主表面の形状とし、前記複数枚の基板のうちの各基板における薄膜が設けられる側の主表面の形状を、前記基準主表面の形状に対して中央部を含む一辺が132mmの四角形の内側領域でフィッティングを行い、そのフィッティング差が40nm以下となる基板をマスクブランク用基板として選定する基板選定工程と、
前記基板選定工程で選定されたマスクブランク用基板を複数枚集め、マスクブランク用基板セットとする工程と、
を有することを特徴とするマスクブランク用基板セットの製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (1件)：
引用特許：
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