特許
J-GLOBAL ID：201403094495316548
炭素構造体の成長方法並びにシート状構造体及び半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
北野 好人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-032779
公開番号（公開出願番号）：特開2014-166676
出願日： 2014年02月24日
公開日（公表日）： 2014年09月11日
要約：
【課題】シート面の垂直方向のみならずシート面に平行な方向における熱伝導性及び導電性に優れたシート状構造体の製造方法を提供する。【解決手段】基板30の第1の領域上に、第1の触媒金属膜を形成する工程と、前記基板の前記第1の領域に隣接する第2の領域上に、前記第1の触媒金属膜とは異なる第2の触媒金属膜を形成する工程と、前記第1の領域上に、前記第1の触媒金属膜を触媒として、炭素元素からなる複数の線状構造体12を有する第1の炭素構造体を選択的に形成する工程と、前記第2の領域上に、前記第2の触媒金属膜を触媒として、グラファイト層を有する第2の炭素構造体14を選択的に形成する工程とを有する炭素構造体の成長方法が提供される。【選択図】図5
請求項（抜粋）：
互いに第1の間隙をもって配置された複数の炭素元素からなる線状構造体を含み、互いに前記第1の間隙よりも大きな第2の間隙をもって配置された複数の線状構造体束と、
複数の前記線状構造体束間の領域に形成され、複数の前記線状構造体束に接続されたグラファイト層と、
前記第1の間隙及び前記第2の間隙に充填され、前記複数の線状構造体束及び前記グラファイト層を保持する充填層と
を有することを特徴とするシート状構造体。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (7件)：
4G146AA11
, 4G146AA12
, 4G146AB07
, 4G146AC22B
, 4G146AD17
, 4G146AD30
, 4G146BB22
出願人引用 (9件)
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審査官引用 (13件)
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引用文献：
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