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J-GLOBAL ID:200903030038162278

水性塩基現像可能なフォトレジスト組成物およびそれを用いたパターン形成方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 坂口 博 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1998262200
Publication number (International publication number):1999176750
Application date: Sep. 17, 1998
Publication date: Jul. 02, 1999
Summary:
【要約】【課題】 遠紫外線およびi線露光に用いる、水性塩基で現像可能な、高解像度フォトレジスト組成物を提供する。【解決手段】 本発明の組成物は、フェノールポリマー樹脂、酸触媒下でこれらの樹脂と反応することができるグリコールウリル誘導体から選択される架橋剤、光酸発生剤、および有機溶媒を含む。本発明の組成物は、高解像度(0.25マイクロメートル未満)のネガティブ・トーンのイメージを形成するのに特に有用である。
Claim (excerpt):
フェノール樹脂またはポリマーと、グリコールウリル誘導体と、光酸発生剤とを含むフォトレジストの未硬化被膜を基板上に設けるステップと、前記被膜をイメージ通りパターンに紫外線で露光して、それによって前記パターン中に酸触媒を発生させるステップと、前記露光した被膜を90〜130°Cで1〜2分間加熱するステップと、前記フォトレジストを塩基水溶液中で現像するステップとを含むフォトレジストのパターンを形成する方法。
IPC (3):
H01L 21/027 ,  G03F 7/038 501 ,  G03F 7/038 601
FI (3):
H01L 21/30 502 R ,  G03F 7/038 501 ,  G03F 7/038 601
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (16)
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