レジストパターン形成方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：岩橋文雄 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000381895
Publication number (International publication number)：2002184673
Application date： Dec. 15, 2000
Publication date： Jun. 28, 2002
Summary：

【要約】【課題】コストの増加を抑え、工程処理能力の低下を防ぎ、寸法均一性に優れたレジストパターン形成方法を提供することを目的とする。【解決手段】半導体基板101に第1のレジストパターン111を形成する。次に第1のレジストパターン111の上に第3の膜を形成112する。次にホットプレート113を用いて、140°C、60secの熱処理をする。次に第1のレジストパターン111及び第3の膜112を再度2.38%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液114に浸水させる。次に第2のレジストパターン115を形成する。以上の工程から、所望とするレジストパターン115を形成する。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に第1のレジストパターンを形成する工程と、前記第1のレジストパターン上に第1の膜を塗布する工程と、前記第1のレジストパターン及び前記第1の膜を熱処理する工程と、前記第1のレジストパターンと前記第1の膜をテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液に浸水させて第2のレジストパターンを形成する工程とからなるレジストパタ-ン形成方法。

IPC (4)：

H01L 21/027 , G03F 7/039 601 , G03F 7/11 501 , G03F 7/40 511

FI (4)：

G03F 7/039 601 , G03F 7/11 501 , G03F 7/40 511 , H01L 21/30 570

F-Term (22)：

2H025AA02 , 2H025AB16 , 2H025AC08 , 2H025AD03 , 2H025BE00 , 2H025BE10 , 2H025BG00 , 2H025CB41 , 2H025DA01 , 2H025FA17 , 2H025FA29 , 2H025FA33 , 2H025FA39 , 2H096AA25 , 2H096BA11 , 2H096EA05 , 2H096FA01 , 2H096GA09 , 2H096HA01 , 2H096HA05 , 2H096JA04 , 5F046AA28

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (17)

半導体装置の製造方法及び半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-062047 Applicant：三菱電機株式会社
パターン形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-244714 Applicant：株式会社東芝
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-334485 Applicant：三菱電機株式会社, 菱電セミコンダクタシステムエンジニアリング株式会社

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Article cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

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