ハイパーブランチポリマーの合成方法、ハイパーブランチポリマー、レジスト組成物、半導体集積回路、および半導体集積回路の製造方法

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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：酒井昭徳
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006350528
Publication number (International publication number)：2008163056
Application date： Dec. 26, 2006
Publication date： Jul. 17, 2008
Summary：

【課題】光リソグラフィを中心としたナノファブリケーション、特に電子線、EUVリソグラフィに好適な、密着性、感度、及び表面平滑性を向上させたコアシェル型ハイパーブランチポリマーをベースポリマーとして含み、超LSIなどの半導体装置製造用の微細パターンを形成することが可能なレジスト組成物を得ること。【解決手段】コアシェル型ハイパーブランチポリマーにおけるシェル部に、オニウム塩構造を有するモノマーから誘導される繰り返し単位を含有するようにした。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

コアシェル型ハイパーブランチポリマーであって、シェル部にオニウム塩構造を有するモノマーから誘導される繰り返し単位を含有する事を特徴とするコアシェル型ハイパーブランチポリマー。

IPC (4)：

C08F 295/00 , H01L 21/027 , G03F 7/004 , G03F 7/039

FI (4)：

C08F295/00 , H01L21/30 502R , G03F7/004 503A , G03F7/039 601

F-Term (19)：

2H025AA01 , 2H025AA18 , 2H025AB16 , 2H025AC04 , 2H025AC06 , 2H025AC08 , 2H025AD03 , 2H025BE07 , 2H025BF02 , 2H025FA17 , 4J026HA08 , 4J026HA27 , 4J026HA32 , 4J026HA38 , 4J026HB11 , 4J026HB20 , 4J026HB32 , 4J026HB45 , 4J026HB47

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (17)

フォトレジスト用樹脂及びフォトレジスト組成物
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-023844 Applicant：住友ベークライト株式会社
レジスト材料及びパターン形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-061014 Applicant：信越化学工業株式会社
化学増幅ポジ型レジスト材料
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-057719 Applicant：信越化学工業株式会社

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