特許
J-GLOBAL ID：200903004158931363
半導体受光素子
発明者：
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
杉村 興作 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-266930
公開番号（公開出願番号）：特開2003-046111
出願日： 2001年09月04日
公開日（公表日）： 2003年02月14日
要約：
【要約】【課題】暗電流を低減し、高い検出感度を有する半導体受光素子を提供する。【解決手段】半導体発光素子20を構成する下地層12はAlを含み、転位密度が1011/cm2以下の窒化物半導体から構成する。また、n型導電層13及びp型導電層15を前記窒化物半導体よりも少ない含有量でAlを含み、転位密度が1010/cm2以下の窒化物半導体から構成する。さらに、受光層14を同じく前記窒化物半導体よりも少ない含有量でAlを含み、転位密度が1010/cm2以下の窒化物半導体から構成する。
請求項（抜粋）：
所定の基板上において、窒化物半導体からなる下地層と、窒化物半導体層群を含む受光素子構造とを具える半導体受光素子であって、前記下地層を構成する前記窒化物半導体は、少なくともAlを含むとともに、転位密度が1011/cm2以下であり、前記受光素子構造を構成する前記窒化物半導体層群は、前記下地層を構成する前記窒化物半導体よりも少ない含有量でAlを含むとともに、転位密度が1010/cm2以下であることを特徴とする、半導体受光素子。
Fターム (9件)：
5F049MA03
, 5F049MA05
, 5F049MA13
, 5F049MB07
, 5F049NA01
, 5F049PA04
, 5F049QA02
, 5F049QA18
, 5F049SS01
