特許
J-GLOBAL ID：200903081290190105
シリカ系被膜形成用組成物、シリカ系被膜及びその形成方法並びにシリカ系被膜を備える電子部品
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
長谷川 芳樹
, 寺崎 史朗
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-068760
公開番号（公開出願番号）：特開2004-277508
出願日： 2003年03月13日
公開日（公表日）： 2004年10月07日
要約：
【課題】低誘電性に優れる上に、その低誘電性の経時安定性にも優れ、更には十分な機械強度をも有するシリカ系被膜を得ることができるシリカ系被膜形成用組成物、及びシリカ系被膜の形成方法、並びに、そのシリカ系被膜を有する電子部品を提供すること。【解決手段】(a)成分としてアルコキシシラン等のシロキサン樹脂と、(b)成分として計算溶解度パラメータの値が(a)成分のものより小さく、その差が10(MJ/m3)1/2以上である溶媒と、を含有してなるシリカ系被膜形成用組成物。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
(a)成分:下記式(1);
R1nSiX4-n ...(1)
(式中、R1は、H原子若しくはF原子、又はB原子、N原子、Al原子、P原子、Si原子、Ge原子若しくはTi原子を含む基、又は炭素数1〜20の有機基を示し、Xは加水分解性基を示し、nは0〜2の整数を示す。但し、nが2のとき、各R1は同一でも異なっていてもよく、nが0〜2のとき、各Xは同一でも異なっていてもよい)、
で表される化合物を加水分解縮合して得られるシロキサン樹脂と、
(b)成分:計算溶解度パラメータの値が(a)成分のものより小さく、その差が10(MJ/m3)1/2以上である溶媒と、
を含有してなるシリカ系被膜形成用組成物。
IPC (4件)：
C09D183/02
, B32B27/00
, C01B33/12
, C09D183/04
C09D183/02
, B32B27/00 101
, C01B33/12 C
, C09D183/04
4F100AB10
, 4F100AH06A
, 4F100AK52A
, 4F100AK54
, 4F100AL05A
, 4F100AT00B
, 4F100BA02
, 4F100EH46
, 4F100EH462
, 4F100EH66
, 4F100EH662
, 4F100EJ42
, 4F100EJ422
, 4F100GB41
, 4F100JG05
, 4F100JK01
, 4F100JM01A
, 4G072AA25
, 4G072BB09
, 4G072GG02
, 4G072GG03
, 4G072HH28
, 4G072HH33
, 4G072JJ47
, 4G072KK17
, 4G072MM01
, 4G072MM36
, 4G072NN21
, 4G072RR03
, 4G072RR05
, 4G072RR12
, 4G072UU30
, 4J038CE052
, 4J038CG142
, 4J038DD002
, 4J038DE002
, 4J038DF012
, 4J038DF032
, 4J038DL021
, 4J038DL041
, 4J038DL061
, 4J038DL071
, 4J038HA431
, 4J038HA441
, 4J038JA25
, 4J038JA26
, 4J038JB01
, 4J038JC17
, 4J038NA11
, 4J038NA17
, 4J038PB09
