特許
J-GLOBAL ID：200903039395088288
面発光レーザ素子、面発光レーザアレイ、光走査装置及び画像形成装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
立石 篤司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-081664
公開番号（公開出願番号）：特開2009-302512
出願日： 2009年03月30日
公開日（公表日）： 2009年12月24日
要約：
【課題】高コスト化を招くことなく、偏光方向の安定性を高くするとともに、出力光の断面形状を略円形とする。【解決手段】 主面の法線方向が、結晶方位[1 0 0]方向に対して、結晶方位[1 1 1]A方向に向かって15度傾斜している基板上に、活性層を含む共振器構造体及び該共振器構造体を挟んで設けられた下部半導体DBR及び上部半導体DBRを含む複数の半導体層が積層されている。そして、上部半導体DBR中の酸化狭窄構造体における電流通過領域108bの形状は、X軸に平行で電流通過領域108bの中心を通る軸に対して対称であるとともに、Y軸に平行で電流通過領域108bの中心を通る軸に対しても対称であり、Y軸方向の長さが、X軸方向の長さよりも長い。また、電流通過領域108bを取り囲んでいる酸化層108aは、酸化が-Y方向に進行した部分の厚さが、酸化が+X方向及び-X方向に進行した部分の厚さよりも厚い。【選択図】図6
請求項（抜粋）：
基板に対して垂直方向に光を出力する面発光レーザ素子であって、
主面の法線方向が、結晶方位<1 0 0>の一の方向に対して、結晶方位<1 1 1>の一の方向に向かって傾斜している基板と;
活性層を含む共振器構造体、及び該共振器構造体を挟んで設けられ、アルミニウムを含む被選択酸化層の一部が酸化されて生成された酸化物を少なくとも含む酸化物が電流通過領域を取り囲んでいる狭窄構造体を有する半導体多層膜反射鏡を含み、前記基板上に積層されている複数の半導体層と;を備え、
前記電流通過領域の形状は、前記基板の表面に平行で前記結晶方位<1 0 0>の一の方向及び前記結晶方位<1 1 1>の一の方向のいずれにも直交し、前記電流通過領域の中心を通る第1の軸に対して対称であるとともに、前記法線方向及び前記第1の軸のいずれにも直交し、前記電流通過領域の中心を通る第2の軸に対して対称であり、また、前記第1の軸方向の長さと前記第2の軸方向の長さが異なり、
前記電流通過領域を取り囲んでいる酸化物は、酸化が前記第2の軸に平行な少なくとも一方向に進行した部分の厚さが、酸化が前記第1の軸に平行な方向に進行した部分の厚さと異なり、
前記第1の軸方向に関する放射角と前記第2軸方向に関する放射角が等しいことを特徴とする面発光レーザ素子。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (8件)：
5F173AC03
, 5F173AC13
, 5F173AC35
, 5F173AC42
, 5F173AC52
, 5F173AF99
, 5F173AH08
, 5F173AR42
