特許
J-GLOBAL ID：200903073584777624
レジスト下層膜材料並びにそれを用いたレジスト下層膜基板およびパターン形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
奥山 尚一
, 有原 幸一
, 松島 鉄男
, 河村 英文
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-209699
公開番号（公開出願番号）：特開2008-039815
出願日： 2006年08月01日
公開日（公表日）： 2008年02月21日
要約：
【課題】多層レジストプロセス用、特には二層レジストプロセス用、三層レジストプロセス用のレジスト下層膜材料であって、基板からのアミン性の汚染物質を中和する機能があり、これにより、上層レジストのレジストパターンの裾引きなどの悪影響を低減できるレジスト下層膜材料、を形成する方法を提供する。【解決手段】化学増幅型フォトレジスト層の下層を形成するためのレジスト下層膜材料であって、架橋性のポリマーと、一般式 R1CF2SO3-(R2)4N+ (1a) で示される100°C以上の加熱により酸を発生する熱酸発生剤とを含んでなるレジスト下層膜材料、及びこのレジスト下層膜材料を用いて形成されたレジスト下層膜を備えるレジスト下層膜基板を提供する。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
化学増幅型フォトレジスト層の下層を形成するためのレジスト下層膜材料であって、
架橋性のポリマーと、
下記一般式(1a)
R1CF2SO3-(R2)4N+ (1a)
(上式中、R1は、置換もしくは非置換の炭素数1〜20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基で、-O-、-O-C(=O)-、-C(=O)-、-C(=O)-O-、ヒドロキシ基、二重結合、又は炭素数6〜20のアリール基を有していても良く、水素原子がフッ素で置換されていても良いが、水素原子の全てがフッ素原子で置換されることはない基、又は置換もしくは非置換の炭素数6〜20のアリール基で、水素原子がフッ素で置換されていても良いが、水素原子の全てがフッ素原子で置換されることはない基であり、
R2は相互に独立に水素原子、置換もしくは非置換の炭素数1〜10の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、アルケニル基、オキソアルキル基、又はヒドロキシ基もしくはアミノ基を有するアルキル基、又は置換もしくは非置換の炭素数6〜18のアリール基、アラルキル基又はアリールオキソアルキル基を示すか、又はR2のいずれか2つ以上が相互に結合して式中のNと共に環を形成してもよい基である。)
で示される100°C以上の加熱により酸を発生する熱酸発生剤と
を含んでなるレジスト下層膜材料。
IPC (3件)：
G03F 7/11
, G03F 7/26
, H01L 21/027
G03F7/11 503
, G03F7/11 502
, G03F7/26 511
, H01L21/30 573
, H01L21/30 563
2H025AA03
, 2H025AB16
, 2H025AC04
, 2H025AC08
, 2H025AD01
, 2H025AD03
, 2H025BE00
, 2H025BG00
, 2H025CB41
, 2H025DA17
, 2H025DA23
, 2H025DA34
, 2H025DA39
, 2H025DA40
, 2H025FA17
, 2H025FA35
, 2H025FA41
, 2H096AA25
, 2H096BA06
, 2H096BA11
, 2H096GA08
, 2H096HA07
, 2H096JA04
, 2H096KA00
, 5F046HA07
, 5F046NA01
出願人引用 (18件)
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審査官引用 (2件)
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