特許
J-GLOBAL ID:200903074734215995

発光装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (6件): 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-279980
公開番号(公開出願番号):特開2005-191530
出願日: 2004年09月27日
公開日(公表日): 2005年07月14日
要約:
【課題】 小型化ができ、また構造が簡単なために製造が容易で、大きな発光効率を長期間安定して得ることができる発光素子を提供する。【解決手段】 比抵抗0.5Ω・cm以下の窒化物半導体基板1と、窒化物半導体基板の第1の主表面の側に、n型窒化物半導体層2と、窒化物半導体基板から見てn型窒化物半導体層より遠くに位置するp型窒化物半導体層6と、n型窒化物半導体層及びp型窒化物半導体層の間に位置する発光層4とを備え、窒化物半導体基板1及びp型窒化物半導体層6のいずれか一方を光を放出するトップ側に、また他方をダウン側に実装し、そのトップ側に位置する電極が1つで構成される。【選択図】 図2
請求項(抜粋):
比抵抗0.5Ω・cm以下の窒化物半導体基板と、前記窒化物半導体基板の第1の主表面の側に、n型窒化物半導体層と、前記窒化物半導体基板から見て前記n型窒化物半導体層より遠くに位置するp型窒化物半導体層と、前記n型窒化物半導体層及びp型窒化物半導体層の間に位置する発光層とを備え、 前記窒化物半導体基板及びp型窒化物半導体層のいずれか一方を光を放出するトップ側に、また他方をダウン側に実装し、そのトップ側に位置する電極が1つで構成される、発光装置。
IPC (1件):
H01L33/00
FI (2件):
H01L33/00 C ,  H01L33/00 N
Fターム (15件):
5F041AA03 ,  5F041CA13 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F041CA85 ,  5F041CA88 ,  5F041DA02 ,  5F041DA04 ,  5F041DA07 ,  5F041DA17 ,  5F041DA26 ,  5F041DA44 ,  5F041DB03 ,  5F041DC04
引用特許:
出願人引用 (5件)
  • LEDランプ及びそれを用いた表示装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平11-333332   出願人:日亜化学工業株式会社
  • 多数チップ半導体LEDアセンブリ
    公報種別:公開公報   出願番号:特願2002-139659   出願人:ルミレッズライティングユーエスリミテッドライアビリティカンパニー
  • 発光ダイオード
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平11-224608   出願人:豊田合成株式会社, 株式会社光波
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審査官引用 (16件)
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引用文献:
審査官引用 (2件)
  • 住友電工ニュースレター, 200207, 第298号, 第3頁
  • 住友電工ニュースレター, 200305, 第308号, 第3頁

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