特許
J-GLOBAL ID：200903091201429626

半導体装置

発明者：
渡邉 哲也

渡邉 哲也 について


出願人/特許権者：
株式会社ルネサステクノロジ

株式会社ルネサステクノロジ について


代理人 (3件)： 吉田 茂明 ,  吉竹 英俊 ,  有田 貴弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-284728
公開番号（公開出願番号）：特開2008-103527
出願日： 2006年10月19日
公開日（公表日）： 2008年05月01日
要約：
【課題】簡単な構造で大きなデカップリング容量を得ることが可能な技術を提供する。【解決手段】層間絶縁膜20の誘電率は層間絶縁膜30の誘電率よりも高く設定されている。導体CLGと導体CLVとは、層間絶縁膜20,30のうち誘電率が高い方の層間絶縁膜20だけをそれらの間に挟んでいる。導体CLGには低電位側の電源電位が印加され、導体CLVには高電位側の電源電位が印加される。導体CLVと導体CLGの間にはデカップリング容量DC1が形成される。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
半導体装置であって、 互いに誘電率が異なり、互いに積層された第1及び第2の層間絶縁膜と、 前記第1及び第2の層間絶縁膜のうち誘電率が高い方の膜だけをそれらの間に挟む第1及び第2の導体と を備え、 前記第1及び第2の導体では、一方には前記半導体装置の高電位側の電源電位が印加され、他方には前記半導体装置の低電位側の電源電位が印加され、 前記第1及び第2の導体の間にはデカップリング容量が形成される、半導体装置。
IPC (8件)：
H01L 21/822 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/82 ,  H01L 21/320 ,  H01L 23/52 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/06 ,  H01L 27/088
FI (7件)：
H01L27/04 C ,  H01L27/04 D ,  H01L21/82 L ,  H01L27/04 H ,  H01L21/88 Z ,  H01L27/06 102A ,  H01L27/08 102D
Fターム (36件)：
5F033UU04 ,  5F033VV04 ,  5F033VV05 ,  5F033XX00 ,  5F038AV06 ,  5F038BH03 ,  5F038BH19 ,  5F038CD02 ,  5F038CD14 ,  5F038EZ20 ,  5F048AC01 ,  5F048AC03 ,  5F048AC10 ,  5F048BA01 ,  5F048BB06 ,  5F048BB07 ,  5F048BB08 ,  5F048BB12 ,  5F048BC06 ,  5F048BE03 ,  5F048BF06 ,  5F048BF15 ,  5F048BF16 ,  5F048BG13 ,  5F048DA23 ,  5F064BB35 ,  5F064CC10 ,  5F064CC23 ,  5F064EE14 ,  5F064EE16 ,  5F064EE18 ,  5F064EE19 ,  5F064EE22 ,  5F064EE43 ,  5F064EE45 ,  5F064EE52
引用特許：
出願人引用 (13件)
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審査官引用 (4件)
  • 半導体集積回路装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-031059   出願人：セイコーエプソン株式会社
  • 容量素子形成方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-290847   出願人：株式会社東芝
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-305262   出願人：三菱電機株式会社
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