特許
J-GLOBAL ID：201803004583654543

半導体発光素子

発明者：
伊藤 洋平

伊藤 洋平 について

, 
麦野 遥一

麦野 遥一 について


出願人/特許権者：
ローム株式会社

ローム株式会社 について


代理人 (1件)： 特許業務法人あい特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-165939
公開番号（公開出願番号）：特開2018-032820
出願日： 2016年08月26日
公開日（公表日）： 2018年03月01日
要約：
【課題】簡単な構成で、従来に比べて光取り出し効率を向上できる半導体発光素子を提供する。【解決手段】基板2と、基板2上の金属層3と、金属層3上の透光導電層4と、透光導電層4上の絶縁層30と、絶縁層30上に形成され、発光層8、p型半導体層9およびn型半導体層10を含むIII-V族半導体構造5とを含み、p型半導体層9のp型GaPコンタクト層11の屈折率n1、絶縁層30の屈折率n2および透光導電層4の屈折率n3が、関係式:n1>n2<n3を満たす、半導体発光素子1を提供する。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
基板と、 前記基板上の金属層と、 前記金属層上の透光導電層と、 前記透光導電層上の絶縁層と、 前記絶縁層上に形成され、発光層、前記発光層に対して前記基板側に配置された第1導電型層、および前記発光層に対して前記基板の反対側に配置された第2導電型層を含む半導体層とを含み、 前記第1導電型層の屈折率n1、前記絶縁層の屈折率n2および前記透光導電層の屈折率n3が、関係式:n1>n2<n3を満たす、半導体発光素子。
IPC (3件)：
H01L 33/38 ,  H01L 33/30 ,  H01L 33/42
FI (3件)：
H01L33/38 ,  H01L33/30 ,  H01L33/42
Fターム (14件)：
5F241AA03 ,  5F241CA04 ,  5F241CA05 ,  5F241CA12 ,  5F241CA37 ,  5F241CA77 ,  5F241CA88 ,  5F241CA92 ,  5F241CA93 ,  5F241CA98 ,  5F241CB04 ,  5F241CB11 ,  5F241CB15 ,  5F241CB36
引用特許：
出願人引用 (19件)
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審査官引用 (19件)
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