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J-GLOBAL ID：200903036144691423

プラズマモニタリング方法、プラズマモニタリング装置及びプラズマ処理装置

Inventor：
松本 直樹

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松土 龍夫

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山澤 陽平

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瀬川 澄江

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輿水 地塩

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Applicant, Patent owner：
東京エレクトロン株式会社

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Agent (1)： 佐々木 聖孝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004117817
Publication number (International publication number)：2005228727
Application date： Apr. 13, 2004
Publication date： Aug. 25, 2005
Summary：
【課題】 低電子密度条件や高圧力条件の下でもプラズマ中の電子密度を正確に測定すること。【解決手段】 このプラズマ電子密度測定装置は、測定部54にベクトル式のネットワークアナライザ68を備える。このネットワークアナライザ68で複素数表示の反射係数を測定して、その虚数部の周波数特性を取得し、計測制御部74において複素反射係数の虚数部がゼロクロスするポイントの共振周波数を読み取って、共振周波数から電子密度の測定値を算出する。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
所定の空間内に存在するプラズマの中またはその付近に設定した所望のモニタ位置にアンテナプローブを配置する工程と、 前記アンテナプローブより周波数可変の電磁波を放射して前記プラズマに入射させる工程と、 前記プラズマから前記アンテナプローブに反射してきた電磁波を受信する工程と、 前記入射波と前記反射波とから複素数表示の反射係数を測定し、その複素反射係数の虚数部を取得する工程と、 前記電磁波の周波数を掃引して前記複素反射係数の虚数部の値がゼロになる共振周波数を測定する工程と、 前記共振周波数の測定値に基づいて前記プラズマ中の電子密度を算出する工程と を有するプラズマモニタリング方法。
IPC (4)：
H05H1/00 ,  C23F4/00 ,  H01L21/3065 ,  H05H1/46
FI (5)：
H05H1/00 A ,  C23F4/00 A ,  H05H1/46 L ,  H05H1/46 R ,  H01L21/302 103
F-Term (29)：
4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030FA01 ,  4K030FA03 ,  4K030JA18 ,  4K030KA39 ,  4K057DA16 ,  4K057DJ10 ,  4K057DM05 ,  4K057DM35 ,  4K057DM37 ,  4K057DM38 ,  4K057DM39 ,  4K057DM40 ,  4K057DN01 ,  4K057DN02 ,  5F004BA06 ,  5F004BB28 ,  5F004BB29 ,  5F004CA02 ,  5F004CA03 ,  5F004CA04 ,  5F004CB06 ,  5F004DA00 ,  5F004DA01 ,  5F004DA23 ,  5F004DA26 ,  5F004EB01 ,  5F004EB02
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (4)
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Cited by examiner (22)
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Article cited by the Patent：
Cited by examiner (1)

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