特許
J-GLOBAL ID：200903032194776467
露光方法及び装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
藤元 亮輔
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-001735
公開番号（公開出願番号）：特開2003-203850
出願日： 2002年01月08日
公開日（公表日）： 2003年07月18日
要約：
【要約】【課題】 微細な(例えば、0.15μm以下の)線幅を持ち、各種パターンや、L&Sパターンから孤立及び複雑なパターンまでが混在するマスクパターンを、マスクを交換せずに、解像度良く露光可能な露光方法及び装置を提供する。【解決手段】 マスク上のパターンを投影レンズにより被露光面上に露光する露光方法において、所望のパターン領域及び近傍に微細周期パターンを重ねた位相シフトマスクを用い、当該位相シフトマスクの透過率値は三以上の多値透過率からなり、小σ照明と大σ照明に相当する有効光源により前記マスクを多重的に照明することを特徴とする。
請求項（抜粋）：
所望のパターンと、当該パターンに重ねられた周期性のあるダミーのパターンと、三種類以上の透過率又は三種類以上の反射率とを有する位相シフトマスクを形成し、瞳面で光軸近傍に強度分布のピークを有する照明光と瞳面で軸外に強度分布のピークを有する照明光とを利用して前記位相シフトマスクを照明し、前記マスクを経た光を被露光体に投影光学系を介して投影することによって、前記所望のパターンで前記被露光体を露光することを特徴とする露光方法。
IPC (3件)：
H01L 21/027
, G03F 1/08
, G03F 7/20 521
G03F 1/08 A
, G03F 7/20 521
, H01L 21/30 515 D
, H01L 21/30 502 P
2H095BA01
, 2H095BA02
, 2H095BB03
, 5F046AA25
, 5F046CB17
, 5F046DA02
