特許
J-GLOBAL ID：200903035652353618
不揮発性半導体記憶装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-153112
公開番号（公開出願番号）：特開2009-076188
出願日： 2008年06月11日
公開日（公表日）： 2009年04月09日
要約：
【課題】負電圧発生用のチャージポンプ回路の規模を低減し、又は回路自体を不要とし、チップ面積を縮小した不揮発性半導体記憶装置を提供する。【解決手段】メモリセルを構成するゲート電極をフローティング状態とし、隣接する他のゲート電極の電位を変化させ、この変化と容量結合比によりゲート電極の電位を減圧する。また、例えば、さらに、ゲート電極と別のゲート電極を接続してチャージシェアし、その後、別のゲート電極を隣接する他のゲート電極との容量結合により減圧することで、別のゲート電極の電位を大きく減圧させることができる。これにより、チャージポンプ回路の発生電圧レベルを低減することができる。その結果、チャージポンプ回路の規模を低減又はその回路自体を不要とすることができ、チップ面積を縮小できる。【選択図】図15
請求項（抜粋）：
半導体基板と、
前記半導体基板上に形成された第1の電荷蓄積膜と、
前記第1の電荷蓄積膜上に形成された第1のゲート電極と、
前記第1のゲート電極に隣接して形成された第2のゲート電極と、
前記第1のゲート電極および前記第2のゲート電極の電位を制御するための制御回路と、を有し、
前記第1の電荷蓄積膜に蓄積された電荷量に対応するデータの消去動作の際に、
前記制御回路は、前記第1のゲート電極に第1の電位を、前記第2のゲート電極に第2の電位を供給するように動作し、
その後、前記制御回路は、前記第1のゲート電極がフローティング状態となるように動作し、
その後、前記第1のゲート電極の電位が前記第1の電位から前記第1の電位よりも低い負の第3の電位となるように、前記制御回路は、前記第2のゲート電極に前記第2の電位より低い電位である第4の電位を供給するように動作することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
IPC (2件)：
FI (5件)：
G11C17/00 612E
, G11C17/00 641
, G11C17/00 611E
, G11C17/00 623A
, G11C17/00 621Z
5B125BA03
, 5B125BA05
, 5B125BA07
, 5B125BA08
, 5B125BA19
, 5B125CA01
, 5B125CA06
, 5B125CA26
, 5B125DA09
, 5B125DB12
, 5B125DC12
, 5B125DC17
, 5B125DC18
, 5B125EB01
, 5B125EB05
, 5B125EB09
, 5B125EF10
, 5B125EG02
, 5B125EG03
, 5B125EG04
, 5B125EG07
, 5B125EG08
, 5B125EG18
, 5B125FA02
, 5B125FA07
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (21件)
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