特許
J-GLOBAL ID：200903050227048665
物理量センサ
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
伊藤 洋二
, 三浦 高広
, 水野 史博
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-247768
公開番号（公開出願番号）：特開2009-216693
出願日： 2008年09月26日
公開日（公表日）： 2009年09月24日
要約：
【課題】基板平面方向と基板垂直方向それぞれに変位する梁のバネ特性が個々に所望の値に設定できるようにする。【解決手段】垂直方向梁11aと水平方向梁11bとを異なる厚みで形成する。具体的には、垂直方向梁11aに関しては、シリコン層3のうちの下方位置、つまり支持基板1側を除去する。これにより、垂直方向梁11aのバネ特性と水平方向梁11bのバネ定数を異ならせることが可能となり、各梁11a、11bのバネ特性を個々に所望の値にできる。また、垂直方向梁11aの高さが埋込酸化膜2の厚みに依存しないものとなるため、バネ特性をより最適なものにすることが可能となる。このため、車両上下方向における加速度の検出を最適なバネ特性を有する垂直方向梁11aの変位に基づいて行えると共に、車両前後方向や車両左右方向における加速度の検出も最適なバネ特性を有する水平方向梁11bの変位に基づいて行うことが可能となる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
支持基板(1、51)の上に酸化膜(2、52)を介してシリコン層(3、53)が形成された基板(4、54)と、
可動電極(9、59)が梁(11、61)にて支持されている可動部(6、56)および前記可動電極(9、59)と対向する固定電極(14、64)が備えられている固定部(7、57)が前記シリコン層(3、53)をパターニングすることにより形成されており、前記支持基板(1、51)のうち前記可動電極(9、59)と対向する部分に形成された下部電極(5、55)が備えられたセンサ部(41、42)と、を有し、
前記支持基板(1、51)の水平方向である基板水平方向の物理量が印加されたときに、前記可動電極(9、59)と前記固定電極(14、64)との間に形成される容量に基づいて前記基板水平方向の物理量を検出すると共に、前記支持基板(1、51)の垂直方向である基板垂直方向の物理量が印加されたときに、前記可動電極(9、59)と前記下部電極(5、55)との間に形成される容量に基づいて前記基板垂直方向の物理量を検出する物理量センサにおいて、
前記梁(11、61)は、前記基板垂直方向に変位する垂直方向梁(11a、61a)と、前記基板水平方向に変位する水平方向梁(11b、61b)とを有し、前記垂直方向梁(11a、61a)を構成する前記シリコン層(3、53)のうちの前記支持基板(1、61)側となる下方位置が除去されることにより、前記垂直方向梁(11a、61a)の前記基板垂直方向の厚みが前記水平方向梁(11b、61b)よりも薄くされていることを特徴とする物理量センサ。
IPC (4件)：
G01P 15/125
, G01P 15/18
, G01C 19/56
, H01L 29/84
G01P15/125 Z
, G01P15/00 K
, G01C19/56
, H01L29/84 Z
2F105BB15
, 2F105CD03
, 2F105CD13
, 4M112AA02
, 4M112BA07
, 4M112CA21
, 4M112CA24
, 4M112CA31
, 4M112CA33
, 4M112DA04
, 4M112DA10
, 4M112DA18
, 4M112EA02
, 4M112EA06
, 4M112EA13
, 4M112FA20
出願人引用 (5件)
全件表示
審査官引用 (14件)
-
複合センサ
公報種別：公開公報
出願番号：特願平8-159047
出願人：日本テキサス・インスツルメンツ株式会社
-
多軸加速度センサ
公報種別：公開公報
出願番号：特願2005-129284
出願人：松下電器産業株式会社
-
半導体力学量センサおよびその製造方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願2002-257881
出願人：株式会社デンソー
全件表示
前のページに戻る
