マスクおよびその製造方法と半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：佐藤隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-151159
公開番号（公開出願番号）：特開2002-343710
出願日： 2001年05月21日
公開日（公表日）： 2002年11月29日
要約：

【要約】【課題】微細パターンが高精度に形成されたマスクおよびその製造方法と半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】表面に平行に(100)面を有するシリコン単結晶膜107と、シリコン単結晶膜107を含む薄膜103と、荷電粒子線が透過する孔105と、孔105の壁面を構成し、かつ(100)面に比較してエッチング速度を遅くすることが可能である(111)面と、薄膜表面に形成された薄膜支持導電層121、122、123とを有するマスクおよびその製造方法と、半導体装置の製造方法。

請求項（抜粋）：

表面に平行に第1の格子面を有する単結晶膜と、少なくとも前記単結晶膜を含む薄膜と、前記薄膜の一部に形成された、荷電粒子線が透過する孔と、前記単結晶膜部分の前記孔の壁面を構成し、前記第1の格子面に比較してエッチング速度を遅くすることが可能である第2の格子面と、前記薄膜の一方の面の一部に、前記孔を透過した前記荷電粒子線を遮断しないように形成された薄膜支持部とを有するマスク。

IPC (3件)：

H01L 21/027 , G03F 1/16 , G03F 7/20 504

FI (4件)：

G03F 1/16 B , G03F 7/20 504 , H01L 21/30 541 S , H01L 21/30 531 M

Fターム (16件)：

2H095BA01 , 2H095BA08 , 2H095BB01 , 2H095BB25 , 2H095BC16 , 2H095BC27 , 2H097CA16 , 2H097GB00 , 2H097LA10 , 5F046GD04 , 5F046GD07 , 5F046GD10 , 5F046GD15 , 5F046GD16 , 5F056AA22 , 5F056FA05

引用特許：

審査官引用 (20件)

特開昭63-110635
荷電ビーム一括露光用透過マスクおよびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-186282 出願人：日本電気株式会社
荷電ビーム描画装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-286683 出願人：株式会社東芝

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引用文献：

審査官引用 (3件)

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