特許
J-GLOBAL ID：201303094605597060
オプトエレクトロニクス半導体チップ、オプトエレクトロニクスモジュールおよびオプトエレクトロニクス半導体チップの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
アインゼル・フェリックス=ラインハルト
, 久野 琢也
, 高橋 佳大
, 星 公弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-224564
公開番号（公開出願番号）：特開2013-009013
出願日： 2012年10月09日
公開日（公表日）： 2013年01月10日
要約：
【課題】効率が改善されたオプトエレクトロニクス半導体チップを提供する。【解決手段】半導体チップの成長方向において、以下の順序で複数の領域を有する、すなわち、アクティブ領域に対するpドープされたバリア層と、電磁放射の生成に適しており、六方晶系の化合物半導体をベースとするアクティブ領域と、アクティブ領域に対するnドープされたバリア層とを有し、前記アクティブ領域は放射生成のために設けられている量子井戸構造を含み、成長方向において、前記放射生成のために設けられている量子井戸構造の前段には、放射生成のためには設けられていない少なくとも1つの量子井戸構造が配置されている。【選択図】図1A
請求項（抜粋）：
オプトエレクトロニクス半導体チップにおいて、
半導体チップ(20)の成長方向(c)において、以下の順序で複数の領域を有する、すなわち
アクティブ領域(2)に対するpドープされたバリア層(1)と、
電磁放射の生成に適しており、六方晶系の化合物半導体をベースとするアクティブ領域(2)と、
アクティブ領域(2)に対するnドープされたバリア層(3)とを有し、
前記アクティブ領域(2)は放射生成のために設けられている量子井戸構造(8,9)を含み、
成長方向(c)において、前記放射生成のために設けられている量子井戸構造(2)の前段には、放射生成のためには設けられていない少なくとも1つの量子井戸構造(9)が配置されていることを特徴とする、オプトエレクトロニクス半導体チップ。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L33/00 110
, H01L33/00 400
5F141AA24
, 5F141CA04
, 5F141CA05
, 5F141CA40
, 5F142BA02
, 5F142BA24
, 5F142CA03
, 5F142CC04
, 5F142CE02
, 5F142CE16
, 5F142CE17
, 5F142CG03
, 5F142CG04
, 5F142CG05
, 5F142DA12
, 5F142DB24
