チャンネル移動度を増加させた半導体デバイスを製造するためのウェット・ケミストリー・プロセス

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出願人/特許権者：
代理人 (5件)：小野新次郎 , 小林泰 , 竹内茂雄 , 山本修 , 大牧綾子
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-518913
公開番号（公開出願番号）：特表2014-523131
出願日： 2012年06月26日
公開日（公表日）： 2014年09月08日
要約：

チャンネル移動度を増加させた半導体デバイスおよびその半導体デバイスの製造の方法の実施形態を開示する。1つの実施形態では、半導体デバイスは、チャンネル領域を含む基板と、基板のチャンネル領域上のゲート・スタックとを含む。ゲート・スタックは、アルカリ土類金属を含む。1つの実施形態では、アルカリ土類金属はバリウム(Ba)である。別の実施形態では、アルカリ土類金属はストロンチウム(Sr)である。アルカリ土類金属により、半導体デバイスのチャンネル移動度が実質的に改善される。

請求項（抜粋）：

半導体デバイスの製造の方法であって、チャンネル領域を有する基板を提供するステップと、前記基板の前記チャンネル領域の上にゲート・スタックを提供するステップであって、前記ゲート・スタックはアルカリ土類金属を含む、ステップとを含み、前記基板の前記チャンネル領域の上に前記ゲート・スタックを提供する前記ステップは、ウェット・ケミストリーを用いて、前記アルカリ土類金属を含む層を前記基板の前記チャンネル領域の上に提供するステップを含む、製造の方法。

IPC (6件)：

H01L 29/78 , H01L 21/336 , H01L 29/12 , H01L 29/739 , H01L 29/06 , H01L 21/28

FI (12件)：

H01L29/78 301G , H01L29/78 301B , H01L29/78 652K , H01L29/78 652T , H01L29/78 655A , H01L29/78 653A , H01L29/78 658F , H01L29/78 652P , H01L29/06 301G , H01L29/06 301V , H01L21/28 301B , H01L21/28 301R

Fターム (35件)：

4M104AA03 , 4M104BB01 , 4M104BB02 , 4M104BB06 , 4M104BB16 , 4M104CC01 , 4M104CC05 , 4M104EE03 , 4M104EE09 , 4M104EE15 , 4M104EE16 , 4M104FF02 , 4M104FF04 , 4M104FF35 , 4M104GG06 , 4M104GG09 , 5F140AA01 , 5F140AA05 , 5F140BA02 , 5F140BA16 , 5F140BC12 , 5F140BD01 , 5F140BD02 , 5F140BD04 , 5F140BD05 , 5F140BD11 , 5F140BD13 , 5F140BE07 , 5F140BE09 , 5F140BE10 , 5F140BE16 , 5F140BE17 , 5F140BF07 , 5F140BJ05 , 5F140BK13

引用特許：

出願人引用 (17件)

CMOSプロセス用金属ゲート・トランジスタ及びその製造方法
公報種別：公表公報出願番号：特願2007-552131 出願人：フリースケールセミコンダクターインコーポレイテッド
半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-235514 出願人：株式会社東芝
電界効果トランジスタ及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-381696 出願人：株式会社東芝

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審査官引用 (17件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-273292 出願人：株式会社東芝
絶縁膜の形成方法、並びに圧電体デバイス、強誘電体デバイス、及び電子機器
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-367418 出願人：セイコーエプソン株式会社
炭化珪素半導体構造における積層誘電体
公報種別：公表公報出願番号：特願2000-568128 出願人：クリーインコーポレイテッド

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